[发明专利]一种识别光刻缺陷热点图形的方法及图形结构

说明书

本发明提供了识别光刻缺陷热点图形的方法，包括：确定版图的待识别层；预设宽度范围，识别初始边；预设RightSpace范围和LeftSpace范围，识别Edge_out；将所述plg_out中，满足一侧边为Fit_width_e_LSW且另一侧边为Fit_width_e_RSW的多边形区域识别为plg_out_plus，即目标图形。本发明的方法能快捷准确的识别出光刻缺陷图形，利于改进生产工艺，步骤简洁。本发明还提供了一种光刻缺陷热点图形结构，能快速辨别图形是否有引起光刻缺陷风险。

技术领域

本发明属于半导体设计和制造领域，具体涉及一种识别光刻缺陷热点图形的方法及图形结构。

背景技术

随着集成电路生产工艺技术节点不断推进，集成电路的设计变得越来越复杂。现今应用于集成电路生产的主流光刻工艺，其光波波长一直维持在193nm。在曝光机台波长不更新的情形下，曝光图形尺寸的却不断缩小，进而会产生许多符合设计规则而实际工艺窗口较差的光刻图形，一般称之为光刻缺陷热点图形。对于光刻缺陷热点图形的处理方法包括在流片前优化原始的版图设计，以及对检查出的光刻工艺热点进行特殊工艺处理。

光刻缺陷热点图形，一般是指版图中具有某种几何特征以及特征尺寸在某个范围内的容易引起光刻缺陷的图形或者图形组合；在实际的制造生产中，因不同制造厂商处理方式不同，光刻缺陷热点图形不一定都会实际引起光刻缺陷，也就是对于不同制造厂商来说，实际导致光刻缺陷发生的光刻缺陷热点图形可能是不同的。确定什么样热点图形结构容易引起光刻缺陷，对提前在大量的版图数据中快速准确地定位出光刻缺陷热点图形，对制造厂商进行设计生产等的指导具有重大的实际意义。不能有效便捷的识别出所述热点图形，这对于光刻工艺及设计的进一步完善是很不利的。

发明内容

本发明是基于上述现有技术的全部或部分问题而进行的，本申请以下叙述中涉及的名词以及相关技术原理所有解释或定义仅是进行示例性而非限定性说明。本发明为了便于叙述清楚而采用的一些常用的英文名词或字母只是用于示例性指代而非限定性解释或特定用法，不应以其可能的中文翻译或具体字母来限定本发明的保护范围。