[发明专利]一种光刻缺陷热点图形的识别方法及图形结构在审
| 申请号： | 202110264926.1 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN114764215A | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 潘伟伟;胡佳南 | 申请（专利权）人： | 杭州广立微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G06T7/00;G06T7/13;G06T7/181 |
| 代理公司： | 江苏坤象律师事务所 32393 | 代理人： | 赵新民 |
| 地址： | 310012 浙江省杭州市西*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光刻缺陷热点图形的识别方法，包括：确定版图的待识别层，即目标图形所在层；预设宽度范围，识别初始边；预设第一间距范围和第二间距范围；识别第一间隔区、第二间隔区；识别第一边、第二边；将所述初始多边形中，满足一侧轮廓边为第一边并且另一侧轮廓边为第二边的多边形区域识别为目标图形，即光刻缺陷热点图形。能快捷准确的识别出光刻缺陷图形，利于改进生产工艺，步骤简洁。本发明还提供一种光刻缺陷热点图形结构，通过本发明的光刻缺陷热点图形的识别方法得到，能快速辨别图形是否有引起光刻缺陷风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 缺陷 热点 图形 识别 方法 结构 | ||
【主权项】：
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