[发明专利]一种光刻缺陷热点图形的识别方法及图形结构

说明书

本发明提供了一种光刻缺陷热点图形的识别方法，包括：确定版图的待识别层，即目标图形所在层；预设宽度范围，识别初始边；预设第一间距范围和第二间距范围；识别第一间隔区、第二间隔区；识别第一边、第二边；将所述初始多边形中，满足一侧轮廓边为第一边并且另一侧轮廓边为第二边的多边形区域识别为目标图形，即光刻缺陷热点图形。能快捷准确的识别出光刻缺陷图形，利于改进生产工艺，步骤简洁。本发明还提供一种光刻缺陷热点图形结构，通过本发明的光刻缺陷热点图形的识别方法得到，能快速辨别图形是否有引起光刻缺陷风险。

技术领域

本发明属于半导体设计和制造领域，具体涉及一种光刻缺陷热点图形的识别方法及图形结构。

背景技术

随着集成电路生产工艺技术节点不断推进，集成电路的设计变得越来越复杂。现今应用于集成电路生产的主流光刻工艺，其光波波长一直维持在193nm。在曝光机台波长不更新的情形下，曝光图形尺寸的却不断缩小，进而会产生许多符合设计规则而实际工艺窗口较差的光刻图形，一般称之为光刻缺陷热点图形。对于光刻缺陷热点图形的处理方法包括在流片前优化原始的版图设计，以及对检查出的光刻工艺热点进行特殊工艺处理。

光刻缺陷热点图形，一般是指版图中具有某种几何特征以及特征尺寸在某个范围内的容易引起光刻缺陷的图形或者图形组合；在实际的制造生产中，因不同制造厂商处理方式不同，光刻缺陷热点图形不一定都会实际引起光刻缺陷，也就是对于不同制造厂商来说，实际导致光刻缺陷发生的光刻缺陷热点图形可能是不同的。对提前在大量的版图数据中快速准确地定位出光刻缺陷热点图形，对制造厂商进行设计生产等的指导具有重大的实际意义。不能有效便捷的识别出所述热点图形，这对于光刻工艺及设计的进一步完善是很不利的。

发明内容

本发明是基于上述现有技术的全部或部分问题而进行的，本申请以下叙述中涉及的名词以及相关技术原理所有解释或定义仅是进行示例性而非限定性说明。

本发明一方面提供的一种光刻缺陷热点图形的识别方法，包括：步骤S1.获取版图信息，并确定版图的待识别层，即目标图形所在层；步骤S2.预设宽度范围，设垂直于图形走向的图形宽度为线宽；将线宽在所述宽度范围内的图形识别为初始多边形，并将初始多边形中沿着图形走向的轮廓边识别为初始边；步骤S3.预设第一间距范围和第二间距范围；将相邻图形之间的间距在第一间距范围内的间隔区域识别为第一间隔区，将相邻图形之间的间距在第二间距范围内的间隔区域识别为第二间隔区；步骤S4.将所述初始边中，与所述第一间隔区接触的边识别为第一边，与所述第二间隔区接触的边识别为第二边；步骤S5.将所述初始多边形中，满足一侧轮廓边为第一边且另一侧轮廓边为第二边的多边形区域识别为plg_out；所述plg_out为识别出的目标图形，即光刻缺陷热点图形。

一个实施情况里，所述步骤S3中“相邻图形之间的间距”是指所述初始多边形与其相邻图形之间的间距。

一个实施情况里，第一间隔区和/或第二间隔区是多边形，多边形可以是矩形，也可以是一个能切割成若干个矩形的多边形区域。

所述待识别层是多晶硅层、金属层或有源区层中的一层或多层。

在版图的待识别层中，所有图形的轮廓边都是沿着图形走向的边或者垂直于图形走向边。

所述目标图形plg_out沿着图形走向的轮廓边都识别为edge_out，用于作为识别出的目标图形的信息提供。

本发明另一方面提供的一种光刻缺陷热点图形结构，通过本发明的一种光刻缺陷热点图形的识别方法识别得到，包括：图层及图层上的光刻缺陷热点图形。

所述图层包括多晶硅层、金属层和有源区层中的一层或多层。