[发明专利]一种光刻缺陷热点图形的识别方法及图形结构在审
申请号: | 202110264926.1 | 申请日: | 2021-03-11 |
公开(公告)号: | CN114764215A | 公开(公告)日: | 2022-07-19 |
发明(设计)人: | 潘伟伟;胡佳南 | 申请(专利权)人: | 杭州广立微电子股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G06T7/00;G06T7/13;G06T7/181 |
代理公司: | 江苏坤象律师事务所 32393 | 代理人: | 赵新民 |
地址: | 310012 浙江省杭州市西*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光刻 缺陷 热点 图形 识别 方法 结构 | ||
1.一种光刻缺陷热点图形的识别方法,其特征在于:包括:
步骤S1.获取版图信息,并确定版图的待识别层,即目标图形所在层;
步骤S2.预设宽度范围,设垂直于图形走向的图形宽度为线宽;将线宽在所述宽度范围内的图形识别为初始多边形,并将初始多边形中沿着图形走向的轮廓边识别为初始边;
步骤S3.预设第一间距范围和第二间距范围;将相邻图形之间的间距在第一间距范围内的间隔区域识别为第一间隔区,将相邻图形之间的间距在第二间距范围内的间隔区域识别为第二间隔区;
步骤S4.将所述初始边中,与所述第一间隔区接触的边识别为第一边,与所述第二间隔区接触的边识别为第二边;
步骤S5.将所述初始多边形中,满足一侧轮廓边为第一边且另一侧轮廓边为第二边的多边形区域识别为plg_out;所述plg_out为识别出的目标图形,即光刻缺陷热点图形。
2.根据权利要求1所述的一种光刻缺陷热点图形的识别方法,其特征在于:所述步骤S3中“相邻图形之间的间距”是指所述初始多边形与其相邻图形之间的间距。
3.根据权利要求1所述的一种光刻缺陷热点图形的识别方法,其特征在于:第一间隔区和/或第二间隔区是多边形。
4.根据权利要求1所述的一种光刻缺陷热点图形的识别方法,其特征在于:所述待识别层是多晶硅层、金属层或有源区层中的一层或多层。
5.根据权利要求1所述的一种光刻缺陷热点图形的识别方法,其特征在于:在版图的待识别层中,所有图形的轮廓边都是沿着图形走向的边或者垂直于图形走向边。
6.根据权利要求1所述的一种光刻缺陷热点图形的识别方法,其特征在于:所述目标图形plg_out沿着图形走向的轮廓边都识别为edge_out,用于作为识别出的目标图形的信息提供。
7.一种光刻缺陷热点图形结构,其特征在于:通过权利要求1-6任意一项所述的一种光刻缺陷热点图形的识别方法识别得到,包括:图层及图层上的光刻缺陷热点图形。
8.根据权利要求7所述的一种光刻缺陷热点图形结构,其特征在于:所述图层包括多晶硅层、金属层和有源区层中的一层或多层。
9.根据权利要求7所述的一种光刻缺陷热点图形结构,其特征在于:所述光刻缺陷热点图形为多边形,并设为plg_out;设垂直于图形走向的图形宽度为线宽;所述plg_out的线宽满足预设的宽度范围,且该plg_out中沿着图形走向的两侧轮廓边,与相邻图形的间距分别满足:plg_out与一侧相邻图形之间的间距在预设的第一间距范围内,plg_out与另一侧相邻图形之间的间距在预设的第二间距范围内。
10.根据权利要求9所述的一种光刻缺陷热点图形结构,其特征在于:所述多边形图形和/或相邻图形的轮廓边都是沿着图形走向的边或者垂直于图形走向边。
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