[发明专利]划片槽的形成方法在审
| 申请号： | 202110258189.4 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113013098A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 韩国庆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L23/00;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种划片槽的形成方法，包括：提供半导体器件，包括芯片、芯片密封环，以及切割道，芯片、芯片密封环和切割道形成在半导体基底上；部分刻蚀切割道并露出半导体基底表面，以形成深沟槽，深沟槽的两侧与切割道的边缘均具有一定距离；在半导体器件表面形成掩膜层，掩膜层覆盖深沟槽的侧壁和底壁；同时刻蚀深沟槽底壁的掩膜层和位于芯片上的掩膜层，以分别形成划片槽和焊盘。通过划片槽切割芯片不会伤害到密封环，从而可以保护芯片。划片槽侧壁的掩膜层阻止了切割道的材料暴露在空气中，阻止了芯片的金属被腐蚀，并且形成的划片槽底部没有掩膜层，在切割的时候使得切割后的划痕光滑，没有卷边。 | ||
| 搜索关键词： | 划片 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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