[发明专利]划片槽的形成方法在审
| 申请号： | 202110258189.4 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113013098A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 韩国庆 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L23/00;H01L23/31 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 周耀君 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 划片 形成 方法 | ||
1.一种划片槽的形成方法，用于将多个芯片分割开，其特征在于，包括：
提供半导体器件，包括半导体基底、芯片、位于所述芯片外围的用于保护芯片的芯片密封环，以及位于所述芯片密封环外围的切割道，所述芯片、所述芯片密封环和所述切割道形成在半导体基底上；
部分刻蚀所述切割道并露出所述半导体基底表面，以形成深沟槽，所述深沟槽的两侧与所述切割道的边缘均具有一定距离；
在所述半导体器件表面形成掩膜层，所述掩膜层覆盖所述深沟槽的侧壁和底壁；
同时刻蚀所述深沟槽底壁的掩膜层露出半导体基底表面和位于所述芯片上的掩膜层露出半导体器件表面，以分别形成划片槽和焊盘。
2.如权利要求1所述的划片槽的形成方法，其特征在于，所述半导体基底包括衬底和前段IC。
3.如权利要求1所述的划片槽的形成方法，其特征在于，所述芯片密封环的材料包括金属。
4.如权利要求1所述的划片槽的形成方法，其特征在于，所述切割道的材料包括含氟氧化物。
5.如权利要求4所述的划片槽的形成方法，其特征在于，所述氧化物包括二氧化硅。
6.如权利要求1所述的划片槽的形成方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为氮化物。
7.如权利要求6所述的划片槽的形成方法，其特征在于，所述氮化物包括氮化硅。
8.如权利要求1所述的划片槽的形成方法，其特征在于，所述芯片包括位于所述半导体基地上介质层，以及位于所述介质层内的多个金属层。
9.如权利要求1所述的划片槽的形成方法，其特征在于，同时刻蚀所述深沟槽底壁的掩膜层和位于所述芯片上的掩膜层，以分别形成划片槽和焊盘的方法包括：
在所述掩膜层的表面形成图案化的光刻胶；
以图案化的光刻胶为掩摸同时刻蚀所述深沟槽底壁的掩膜层和所述芯片的掩摸层。
10.如权利要求1所述的划片槽的形成方法，其特征在于，所述深沟槽的的宽度为4μm～6μm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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