[发明专利]划片槽的形成方法

说明书

本发明提供了一种划片槽的形成方法，包括：提供半导体器件，包括芯片、芯片密封环，以及切割道，芯片、芯片密封环和切割道形成在半导体基底上；部分刻蚀切割道并露出半导体基底表面，以形成深沟槽，深沟槽的两侧与切割道的边缘均具有一定距离；在半导体器件表面形成掩膜层，掩膜层覆盖深沟槽的侧壁和底壁；同时刻蚀深沟槽底壁的掩膜层和位于芯片上的掩膜层，以分别形成划片槽和焊盘。通过划片槽切割芯片不会伤害到密封环，从而可以保护芯片。划片槽侧壁的掩膜层阻止了切割道的材料暴露在空气中，阻止了芯片的金属被腐蚀，并且形成的划片槽底部没有掩膜层，在切割的时候使得切割后的划痕光滑，没有卷边。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种划片槽的形成方法。

背景技术

半导体芯片工艺中，在半导体芯片封装工艺中，需要对芯片进行切割，切割过程在切割道中进行。切割的机械力可能导致边缘处形成微小裂痕，尤其是接近边角处。所形成的裂痕可能会朝向集成电路的中心电路区域推进而造成其中的电路区域毁坏。为了保护电路区域，一般会在集成电路芯片上介于电路区域以及其切割道之间，配置芯片密封环(sea lr i ng)。芯片密封环可以防止任何裂痕侵入集成电路内部的电路区域，然而，随着芯片尺寸的变小，芯片与芯片间的切割道尺寸也逐步缩小，切割道尺寸的缩小给后段的切割(d ie saw)工艺带来了严峻的挑战，而切割过程的微小裂缝也成为影响产品可靠性能的一个隐患。在切割工艺过程中，甚至会破坏掉芯片密封环，裂缝最终进入芯片内部，对芯片本身造成致命的伤害。

发明内容

本发明的目的在于提供一种划片槽的形成方法，通过划片槽将多个芯片切割分开，保持芯片密封环的完整，减少对芯片的伤害，并且划片槽内部侧壁和底壁均是光滑的。

为了达到上述目的，本发明提供了一种划片槽的形成方法，用于将多个芯片分割开，包括：

提供半导体器件，包括芯片、位于所述芯片外围的用于保护芯片的芯片密封环，以及位于所述芯片密封环外围的切割道，所述芯片、所述芯片密封环和所述切割道形成在半导体基底上；

部分刻蚀所述切割道并露出所述半导体基底表面，以形成深沟槽，所述深沟槽的两侧与所述切割道的边缘均具有一定距离；

在所述半导体器件表面形成掩膜层，所述掩膜层覆盖所述深沟槽的侧壁和底壁；

同时刻蚀所述深沟槽底壁的掩膜层露出半导体基底表面和位于所述芯片上的掩膜层露出半导体器件表面，以分别形成划片槽和焊盘。

可选的，在所述的划片槽的形成方法中，所述半导体基底包括衬底和前段IC。

可选的，在所述的划片槽的形成方法中，所述芯片密封环的材料包括金属。

可选的，在所述的划片槽的形成方法中，所述切割道的材料包括含氟氧化物。

可选的，在所述的划片槽的形成方法中，所述氧化物包括二氧化硅。

可选的，在所述的划片槽的形成方法中，所述掩膜层的材料为氮化物。

可选的，在所述的划片槽的形成方法中，所述氮化物包括氮化硅。

可选的，在所述的划片槽的形成方法中，所述芯片包括位于所述半导体基地上介质层，以及位于所述介质层内的多个金属层。

可选的，在所述的划片槽的形成方法中，同时刻蚀所述深沟槽底壁的掩膜层和位于所述芯片上的掩膜层，以分别形成划片槽和焊盘的方法包括：在所述掩膜层的表面形成图案化的光刻胶，以图案化的光刻胶为掩摸同时刻蚀所述深沟槽底壁的掩膜层和所述芯片的掩摸层。

可选的，在所述的划片槽的形成方法中，所述深沟槽的的宽度为4μm～6μm。