[发明专利]一种具有自阻匹配的三维介质腔TSV互连结构在审

专利信息
申请号: 202110256038.5 申请日: 2021-03-09
公开(公告)号: CN113192914A 公开(公告)日: 2021-07-30
发明(设计)人: 刘晓贤;朱樟明;杨银堂;刘阳;卢启军;尹湘坤 申请(专利权)人: 西安电子科技大学昆山创新研究院
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种具有自阻匹配的三维介质腔TSV互连结构,包括一上一下设置的顶层介质层和底层介质层,且顶层介质层与底层介质层之间通过半导体硅衬底相连接,顶层介质层与底层介质层之间还具有TSV导体柱介质腔,TSV导体柱介质腔中插设有若干个TSV导体柱,TSV导体柱的上端贯穿顶层介质层的表面后与一顶层互连线相连接,TSV导体柱的下端贯穿底层介质层的表面后与一底层互连线相连接。本发明将所述的自阻匹配三维TSV互连结构的顶层互连线设计为非均匀互连线,即顶层互连线的宽度按照切比雪夫多项式变化,使得其特征阻抗与负载阻抗相匹配,用以降低该三维信号通道中的高速信号反射现象,进而提高高速信号的传输质量,降低高速三维互连系统的功耗与延时。
搜索关键词: 一种 具有 匹配 三维 介质 tsv 互连 结构
【主权项】:
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