[发明专利]一种具有自阻匹配的三维介质腔TSV互连结构

权利要求书

1.一种具有自阻匹配的三维介质腔TSV互连结构，其特征在于，包括一上一下设置的顶层介质层和底层介质层，且顶层介质层与底层介质层之间通过半导体硅衬底相连接，顶层介质层与底层介质层之间还具有TSV导体柱介质腔，所述TSV导体柱介质腔中插设有若干个TSV导体柱，所述TSV导体柱的上端贯穿顶层介质层的表面后与一顶层互连线相连接，TSV导体柱的下端贯穿底层介质层的表面后与一底层互连线相连接，其中，TSV导体柱和底层互连线构成顶层互连线的负载，所述顶层互连线为非均匀互连线设计，并且顶层互连线的宽度按照切比雪夫多项式变化。

2.根据权利要求1所述的一种具有自阻匹配的三维介质腔TSV互连结构，其特征在于，所述顶层互连线的宽度按照切比雪夫多项式的变化规律逐渐减小。

3.根据权利要求2所述的一种具有自阻匹配的三维介质腔TSV互连结构，其特征在于，该切比雪夫多项式的公式为：。

4.根据权利要求1所述的一种具有自阻匹配的三维介质腔TSV互连结构，其特征在于，所述TSV导体柱介质腔中插设有三个TSV导体柱，处于两侧的两个TSV导体柱连同顶层互连线、底层互连线一起接地，而处于中间的TSV导体柱连同顶层互连线、底层互连线一起构成信号通道。

5.根据权利要求1所述的一种具有自阻匹配的三维介质腔TSV互连结构，其特征在于，所述顶层互连线、TSV导体柱以及底层互连线均为金属导体制成。

6.根据权利要求5所述的一种具有自阻匹配的三维介质腔TSV互连结构，其特征在于，所述顶层互连线、TSV导体柱以及底层互连线可选用铜、铝或者多晶硅导电材料。

7.根据权利要求1所述的一种具有自阻匹配的三维介质腔TSV互连结构，其特征在于，所述顶层介质层与底层介质层可选用SiO₂、高分子聚合物BCB绝缘材料。

8.根据权利要求1所述的一种具有自阻匹配的三维介质腔TSV互连结构，其特征在于，所述TSV导体柱介质腔可选用玻璃、高分子聚合物BCB、空气绝缘材料。