[发明专利]沟槽隔离结构的制备方法有效
| 申请号： | 202110252703.3 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN112635394B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 宋富冉;周儒领;许宗能 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种沟槽隔离结构的制备方法，其中所形成的第一氮化层，不仅能作为沟槽隔离结构的一部分起到辅助隔离的效果，还在去除第一氧化层时作为刻蚀阻挡层，避免衬底被刻蚀，保护沟槽的形貌。且为避免HARP对第二区域中后续形成的PMOS的迁移率造成影响，在形成第一氧化层后，去除第二沟槽中的至少部分第一氧化层，并采用HDPCVD进行二次填充，以形成第二氧化层。不仅保证后续形成PMOS的性能，还通过这一步骤，去除第一氧化层中可能存在的孔隙等填充缺陷。同时，因去除第一氧化层使第二沟槽的深度较浅，则有利于形成致密的所述第二氧化层，避免二次填充缺陷。故本发明不但同时保障了后续形成NMOS和PMOS的迁移率，极大地提高了器件性能，且制备成本低，工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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