[发明专利]沟槽隔离结构的制备方法

权利要求书

1.一种沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底包括用于形成NMOS晶体管的第一区域和用于形成PMOS晶体管的第二区域，且在所述第一区域中形成有多个第一沟槽，在所述第二区域中形成有多个第二沟槽；

形成第一氮化层，所述第一氮化层覆盖所有所述第一沟槽和所有所述第二沟槽的内壁；

采用高深宽比工艺形成第一氧化层，所述第一氧化层填充所有所述第一沟槽和所有所述第二沟槽；

去除所有所述第二沟槽中的部分或全部所述第一氧化层；

采用高密度等离子体化学气相沉积工艺形成第二氧化层，所述第二氧化层填充所有所述第二沟槽。

2.根据权利要求1所述的沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，在去除所有所述第二沟槽中的至少部分所述第一氧化层之前，对所有所述第二沟槽中的所述第一氧化层执行离子注入工艺，其中注入的离子包括四价离子。

3.根据权利要求2所述的沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，在对所有所述第二沟槽中的所述第一氧化层执行离子注入工艺之前，形成图案化掩模层，以保护所述第一区域中的衬底和第一沟槽，并暴露出所述第二区域中所有所述第二沟槽中的所述第一氧化层。

4.根据权利要求1所述的沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺和/或湿法刻蚀工艺，去除所有所述第二沟槽中的至少部分所述第一氧化层，其中刻蚀气体包括含氟气体，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀液包括磷酸或者氢氟酸。

5.根据权利要求1所述的沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，在形成多个所述第一沟槽和多个所述第二沟槽之前，在所述衬底上依次形成第三氧化层和第二氮化层。

6.根据权利要求5所述的沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，在形成所述第三氧化层和所述第二氮化层之后，依次刻蚀所述第二氮化层、所述第三氧化层以及所述衬底，以形成多个所述第一沟槽和多个所述第二沟槽。

7.根据权利要求6所述的沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，在形成所述第一氮化层之前，形成第四氧化层，所述第四氧化层覆盖所有所述第一沟槽和所有所述第二沟槽的内壁，且所述第一氮化层覆盖所述第四氧化层。

8.根据权利要求7所述的沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，在形成所述第四氧化层之前，对所述第三氧化层和所述第二氮化层进行回推刻蚀，以暴露出每个所述第一沟槽和所述第二沟槽顶部的衬底的顶角。

9.根据权利要求5所述的沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，在采用高深宽比工艺形成第一氧化层之后，采用化学机械研磨工艺以使所述第一氧化层的顶表面与所述第二氮化层的顶表面齐平。

10.根据权利要求5所述的沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，在采用高密度等离子体化学气相沉积工艺形成第二氧化层之后，采用化学机械研磨工艺以使所述第一氧化层和所述第二氧化层的顶表面与所述第二氮化层的顶表面齐平。