[发明专利]一种提升Flash芯片容量的方法在审
| 申请号： | 202110247493.9 | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113051191A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李俊杰;张辉;胡来胜;陈向兵;张如宏 | 申请（专利权）人： | 深圳三地一芯电子有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F12/1009 | 分类号： | G06F12/1009;G06F15/78 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 任志龙 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区坂田街*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种提升Flash芯片容量的方法，包括：通过扫描检测所有Block，以容量较大、兼顾稳定性为标准获得的某一个block作为公共好页模板CBPM，建立当前block好页模板BPM相对于该公共好页模板CBPM的映射关系的方式，来提升Flash芯片容量。本申请具有提升NandFlash可用容量的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提升 flash 芯片 容量 方法 | ||
【主权项】：
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