[发明专利]一种提升Flash芯片容量的方法在审
| 申请号： | 202110247493.9 | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113051191A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李俊杰;张辉;胡来胜;陈向兵;张如宏 | 申请（专利权）人： | 深圳三地一芯电子有限责任公司 |
| 主分类号： | G06F12/1009 | 分类号： | G06F12/1009;G06F15/78 |
| 代理公司： | 北京维正专利代理有限公司 11508 | 代理人： | 任志龙 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区坂田街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提升 flash 芯片 容量 方法 | ||
1.一种提升Flash芯片容量的方法，其特征在于，包括：
通过扫描检测所有Block，以容量较大、兼顾稳定性为标准获得的某一个block作为公共好页模板CBPM，建立当前block好页模板BPM相对于该公共好页模板CBPM的映射关系的方式，来提升Flash芯片容量。
2.根据权利要求1所述的提升Flash芯片容量的方法，其特征在于，建立映射关系时，记录当前block中的坏页相对于公共好页模板CBPM中坏页的位置以及各个block中的不在公共好页模板中的好页模板的位置。
3.根据权利要求1所述的提升Flash芯片容量的方法，其特征在于，通过扫描检测所有Block，以容量较大、兼顾稳定性为标准获得的某一个block作为公共好页模板CBPM，建立当前block好页模板BPM相对于该公共好页模板CBPM的映射关系，形成一个映射表，所述映射表的字节数小于等于32个字节。
4.根据权利要求3所述的提升Flash芯片容量的方法，其特征在于，所述映射表的前两个字节对应Flash芯片中每个block的地址，后面每两个字节映射当前block中的坏页相对于公共好页模板CBPM中坏页的位置以及各个block中的不在公共好页模板中的好页模板的位置。
5.根据权利要求1-4任一项所述的提升Flash芯片容量的方法，其特征在于，Flash芯片容量通过以下公式进行计算：
Valid Capacity＝n*m*Kbyte
其中，Valid Capacity表示Flash芯片真实容量，n表示Flash芯片中好块个数，m表示CBPM中好页模板的个数，Kbyte表示每一页的字节大小。
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