[发明专利]一种提升Flash芯片容量的方法

说明书

本申请涉及一种提升Flash芯片容量的方法，包括：通过扫描检测所有Block，以容量较大、兼顾稳定性为标准获得的某一个block作为公共好页模板CBPM，建立当前block好页模板BPM相对于该公共好页模板CBPM的映射关系的方式，来提升Flash芯片容量。本申请具有提升NandFlash可用容量的效果。

技术领域

本申请涉及Flash芯片技术领域，尤其是涉及一种提升Flash芯片容量的方法。

背景技术

FLASH芯片是应用非常广泛的、可进行快速存储及擦除数据的存储物质，例如固态硬盘。

目前，每个FLASH芯片的有效Block块都有页模板，每个块的好页模板简称BPM(Block Page Mask)；统计n个块的BPM，以容量最大、同时兼顾稳定性为标准得出的n个块的公共好页模板，简称为CBPM(Common Block Page Mask)。通常BPM越趋同，CBPM越大，则FLASH芯片容量越大；反之，FLASH芯片容量越小。

针对上述中的相关技术，发明人认为存在FLASH芯片中每个块内的好页模板BPM不同、公共好页CBPM过小，导致FLASH芯片有效容量较低的缺陷。

发明内容

为了解决FLASH芯片中每个块内的好页模板BPM不同、公共好页CBPM过小，导致FLASH芯片有效容量较低的问题，本申请提供一种提升Flash芯片容量的方法。

本申请提供的一种提升Flash芯片容量的方法采用如下的技术方案：

一种提升Flash芯片容量的方法，包括：

通过扫描检测所有Block，以容量较大、兼顾稳定性为标准获得的某一个block作为公共好页模板CBPM，建立当前block好页模板BPM相对于该公共好页模板CBPM的映射关系的方式，来提升Flash芯片容量。

通过采用以上技术方案，将通过扫描检测所有Block，以容量较大、兼顾稳定性为标准获得的某一个block作为公共好页模板CBPM，建立当前block好页模板BPM相对于该公共好页模板CBPM的映射关系，从而实现了即使每个block的好页模板BPM不同，也可以获得较大的公共好页模板CBPM，最终提升了NandFlash的可用容量；而且本申请中将Flash芯片中某一个block作为公共好页模板CBPM，只需要建立一张总的映射表即可实现在具体存储时还原每个block的状态，无需读取处理多个表格，从而节约了数据的读存时间。

优选的，建立映射关系时，记录当前block中的坏页相对于公共好页模板CBPM中坏页的位置以及各个block中的不在公共好页模板中的好页模板的位置。

通过采用以上技术方案，从而可以与当前主流闪存管理算法相适应，使得既可以提升NandFlash的可用容量，而且对主流算法影响很小。目前USB 2.0的固件架构，是基于CBPM来管理的，在这个架构上，处理CBPM过小的问题，如果不采用本申请的设置方法，则改动会比较大，且需专用量产工具。另外，通过本申请的上述技术方案，减少了大量NandFlash的管理开销。

优选的，通过扫描检测所有Block，以容量较大、兼顾稳定性为标准获得的某一个block作为公共好页模板CBPM，建立当前block好页模板BPM相对于该公共好页模板CBPM的映射关系，形成一个映射表，所述映射表的字节数小于等于32个字节。从而可以在保证性能的前提下，较好的控制主控成本。当映射表的字节数大于32个字节时，意味着允许存在差异的页越多，导致存储设备的稳定性降低，另外，当映射表的字节数大于32个字节时，使用的时候，占用的RAM空间会增大，导致主控成本增加。

优选的，所述映射表的前两个字节对应Flash芯片中每个block的地址，后面每两个字节映射当前block中的坏页相对于公共好页模板CBPM中坏页的位置，以及各个block中的不在公共好页模板中的好页模板的位置。