[发明专利]一种高纯结晶二氧化硅颗粒的制备方法有效
| 申请号： | 202110244316.5 | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113307275B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 袁良杰;黄荷;王师宇;严诗婷 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 李欣荣 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种大颗粒高纯、超高纯结晶二氧化硅的制备方法，首先以粒径50μm以上的非晶态二氧化硅粉末为原料，再经过水热法或高温处理得到结晶二氧化硅。本发明所得结晶二氧化硅粒度分布范围为45～400μm，杂质元素总含量低于20ppm或30ppb，采用简单可控的制备工艺人工合成大颗粒高纯、超高纯结晶二氧化硅，可为解决高新科技领域大颗粒高纯、超高纯结晶二氧化硅材料不足的现状提供新方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 结晶 二氧化硅 颗粒 制备 方法 | ||
【主权项】：
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