[发明专利]蚀刻方法以及等离子体处理装置在审
| 申请号： | 202110244018.6 | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113471071A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 石原田幸太;高田郁弥;户花敏胜;森北信也 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种蚀刻方法，包括:a工序，在腔室内的载置台上提供基板，基板具有包括第一含硅材料的第一区域以及包括第二含硅材料的第二区域；b工序，对第一区域进行蚀刻直至第二区域露出或者第二区域即将露出；c工序，通过使基板暴露于使用第一RF信号由包括碳原子以及氟原子的第一处理气体生成的等离子体，在基板之上形成堆积物；d工序，使堆积物暴露于使用第一RF信号由包括惰性气体的第二处理气体生成的等离子体，从而相对于第二区域选择性地对第一区域进行蚀刻；以及重复c工序和d工序的e工序，在c工序中，通过将第一RF信号的频率设定为60MHz～300MHz的范围和/或将载置台的温度设定为100℃～200℃的范围，将包含于堆积物中的碳原子数与氟原子数的比控制为大于1。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 以及 等离子体 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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