[发明专利]蚀刻方法以及等离子体处理装置

说明书

一种蚀刻方法，包括:a工序，在腔室内的载置台上提供基板，基板具有包括第一含硅材料的第一区域以及包括第二含硅材料的第二区域；b工序，对第一区域进行蚀刻直至第二区域露出或者第二区域即将露出；c工序，通过使基板暴露于使用第一RF信号由包括碳原子以及氟原子的第一处理气体生成的等离子体，在基板之上形成堆积物；d工序，使堆积物暴露于使用第一RF信号由包括惰性气体的第二处理气体生成的等离子体，从而相对于第二区域选择性地对第一区域进行蚀刻；以及重复c工序和d工序的e工序，在c工序中，通过将第一RF信号的频率设定为60MHz～300MHz的范围和/或将载置台的温度设定为100℃～200℃的范围，将包含于堆积物中的碳原子数与氟原子数的比控制为大于1。

技术领域

本发明涉及蚀刻方法以及等离子体处理装置。

背景技术

相对于由氮化硅构成的第二区域，选择性地对由氧化硅构成的第一区域进行蚀刻的技术为人所知。作为这样的技术的一个例子，提出了SAC(Self-Aligned Contact)技术(例如，参照专利文献1)。

在微细化发展的近年来的半导体器件制造中，为了不产生图案不良，等离子体以及副生成物的控制变得重要。并且，为了使氧化硅相对于氮化硅的选择比变高，在第二区域形成基于副生成物(以下，也称作“堆积物”。)的保护膜从而使氧化硅相对于氮化硅的选择比提高是重要的。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本国特开2017-216284号公报

发明内容

本发明要解决的问题

本发明提供一种改善由氧化硅构成的第一区域相对于由氮化硅构成的第二区域的选择比的技术。

用于解决问题的手段

根据本发明的一个方式，提供一种蚀刻方法，包括:a工序，其在腔室内的载置台上提供基板，上述基板具有包括第一含硅材料的第一区域、以及包括与上述第一含硅材料不同的第二含硅材料的第二区域，上述第二区域形成凹部，上述第一区域以填埋上述凹部且覆盖上述第二区域的方式形成；b工序，其对上述第一区域进行蚀刻，直至上述第二区域露出或者上述第二区域即将露出为止；c工序，其通过使上述基板暴露于使用第一RF信号由包括碳原子以及氟原子的第一处理气体生成的等离子体，从而在上述基板之上形成堆积物；d工序，其使上述堆积物暴露于使用第一RF信号由包括惰性气体的第二处理气体生成的等离子体，从而相对于上述第二区域选择性地对上述第一区域进行蚀刻；以及e工序，其重复上述c工序和上述d工序，在上述c工序中，通过将上述第一RF信号的频率设定为60MHz～300MHz的范围和/或将上述载置台的温度设定为100℃～200℃的范围，将包含于上述堆积物中的碳原子数与氟原子数的比控制为大于1。

发明的效果

根据一个方面，能够改善由氧化硅构成的第一区域相对于由氮化硅构成的第二区域的选择比。

附图说明

图1是示出一个实施方式的蚀刻方法的流程图。

图2是图1所示方法能够适用的一个例子的基板的部分放大剖视图。

图3是概略示出能够用于执行图1所示方法的等离子体处理系统的一个例子的图。

图4是执行图1所示方法的途中阶段的基板的部分放大剖视图。

图5是执行图1所示方法的途中阶段的基板的部分放大剖视图。

图6是执行图1所示方法的途中阶段的基板的部分放大剖视图。

图7是执行图1所示方法的灰化阶段的基板的部分放大剖视图。

图8是示出用于执行图1所示方法的RF信号的实验结果的一个例子的图。