[发明专利]蚀刻方法以及等离子体处理装置

权利要求书

1.一种蚀刻方法，包括:

a工序，其在腔室内的载置台上提供基板，上述基板具有包括第一含硅材料的第一区域、以及包括与上述第一含硅材料不同的第二含硅材料的第二区域，上述第二区域形成凹部，上述第一区域以填埋上述凹部且覆盖上述第二区域的方式形成；

b工序，其对上述第一区域进行蚀刻，直至上述第二区域露出或者上述第二区域即将露出为止；

c工序，其通过使上述基板暴露于使用第一RF信号由包括碳原子以及氟原子的第一处理气体生成的等离子体，从而在上述基板之上形成堆积物；

d工序，其使上述堆积物暴露于使用第一RF信号由包括惰性气体的第二处理气体生成的等离子体，从而相对于上述第二区域选择性地对上述第一区域进行蚀刻；以及

e工序，其重复上述c工序和上述d工序，

在上述c工序中，通过将上述第一RF信号的频率设定为60MHz～300MHz的范围和/或将上述载置台的温度设定为100℃～200℃的范围，将包含于上述堆积物中的碳原子数与氟原子数的比控制为大于1。

2.根据权利要求1所述的蚀刻方法，其中，

在上述c工序中，将上述第一RF信号的频率设定为60MHz～300MHz的范围。

3.根据权利要求1或2所述的蚀刻方法，其中，

在上述c工序中，将上述载置台的温度设定为100℃～200℃的范围。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的蚀刻方法，其中，

在上述c工序中，形成于上述第二区域的上表面的上述堆积物的厚度与形成于上述第二区域的侧面的上述堆积物的厚度的比为5以上。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的蚀刻方法，其中，

在上述c工序中，形成于上述第二区域的侧面的上述堆积物的成膜速率为5以下。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的蚀刻方法，其中，

包含于上述第一处理气体中的碳原子数与氟原子数的比为0.5以上。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的蚀刻方法，其中，

上述第一处理气体是从C₄F₆气体、C₅F₈气体以及C₄F₈气体的组中选择的至少一种。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的蚀刻方法，其中，

上述基板还具有掩模，该掩模形成于上述第一区域之上，并且具有宽度比上述凹部的宽度宽的开口，

在上述b工序中，通过隔着上述掩模使上述第一区域暴露于由包括碳原子和氟原子的气体以及包括惰性气体的处理气体生成的等离子体，从而对上述第一区域进行蚀刻。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的蚀刻方法，其中，

在上述c工序中，将上述第一RF信号施加于与上述载置台相对的电极。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的蚀刻方法，其中，

上述第一RF信号的电力为10W～500W的范围。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的蚀刻方法，其中，

上述第一RF信号为连续波。

12.一种等离子体处理装置，具有：

腔室，其具有气体入口和气体排气口；

载置台，其设于上述腔室内，

电极，其与上述载置台相对，

等离子体生成部；以及

控制部，

上述控制部执行包括以下工序的处理:

a工序，其在腔室内的载置台上配置基板，上述基板具有包括第一含硅材料的第一区域、以及包括与上述第一含硅材料不同的第二含硅材料的第二区域，上述第二区域形成凹部，上述第一区域以填埋上述凹部且覆盖上述第二区域的方式形成；

b工序，其对上述第一区域进行蚀刻，直至上述第二区域露出或者上述第二区域即将露出为止；

c工序，其通过使上述基板暴露于使用第一RF信号由包括碳原子以及氟原子的第一处理气体生成的等离子体，从而在上述基板之上形成堆积物；

d工序，其使上述堆积物暴露于使用第一RF信号由包括惰性气体的第二处理气体生成的等离子体，从而相对于上述第二区域选择性地对上述第一区域进行蚀刻；以及

e工序，其重复上述c工序和上述d工序，

在上述b工序中，上述控制部通过将上述第一RF信号的频率设定为60MHz～300MHz的范围，和/或将上述载置台的温度设定为100℃～200℃的范围，将包含于上述堆积物中的碳原子数与氟原子数的比控制为大于1。