[发明专利]一种用于强磁场的屏蔽装置在审
| 申请号： | 202110243830.7 | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113038813A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 崔志刚;赵现平;沈龙;汪耀辉;董俊贤;高景林;洪志湖 | 申请（专利权）人： | 云南电网有限责任公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 650217 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本申请提供的用于强磁场的屏蔽装置，屏蔽装置为包括多层屏蔽器的复合屏蔽装置，多层屏蔽器由多种不同材料的屏蔽罩同轴环绕而成；复合屏蔽装置的最内层设置聚磁环，聚磁环的一侧设置开口；复合屏蔽装置最外层的屏蔽器上设置有气隙结构；气隙结构的开口与聚磁环的开口背向设置。本装置设计为多层结构，且不同层由不同的材质组合而成，使得屏蔽装置在强磁场环境下解决屏蔽罩磁饱和的问题，且在高磁场干扰环境下，即使外层屏蔽罩磁饱和，最里面一层屏蔽罩仍然有效保护被屏蔽体达到屏蔽效果。同时，该装置非全封闭，是可用于测量导线磁场的开口式屏蔽结构，在多层屏蔽结构外层合理设置气隙，防止过早饱和，并降低交流磁场下涡流效应导致的发热情况。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 磁场 屏蔽 装置 | ||
【主权项】：
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