[发明专利]一种用于强磁场的屏蔽装置在审
| 申请号： | 202110243830.7 | 申请日： | 2021-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN113038813A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 崔志刚;赵现平;沈龙;汪耀辉;董俊贤;高景林;洪志湖 | 申请（专利权）人： | 云南电网有限责任公司电力科学研究院 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 650217 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 磁场 屏蔽 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于强磁场的屏蔽装置，其特征在于，所述屏蔽装置为包括多层屏蔽器的复合屏蔽装置，所述多层屏蔽器由多种不同材料的屏蔽罩同轴环绕而成；
所述复合屏蔽装置的最内层设置聚磁环，所述聚磁环的一侧设置第一气隙结构；
所述复合屏蔽装置最外层的屏蔽器上设置有第二气隙结构；
所述第一气隙结构与第二气隙结构的开口背向设置。
2.根据权利要求1所述的用于强磁场的屏蔽装置，其特征在于，所述屏蔽装置为包括第一屏蔽层和第二屏蔽层的双层屏蔽装置；
所述第一屏蔽层的厚度为1mm，所述第二屏蔽层的厚度也为1mm。
3.根据权利要求2所述的用于强磁场的屏蔽装置，其特征在于，所述第一屏蔽层的厚度为2mm，所述第二屏蔽层的厚度为1mm。
4.根据权利要求2所述的用于强磁场的屏蔽装置，其特征在于，所述第一屏蔽层的厚度为2mm，所述第二屏蔽层的厚度为2mm。
5.根据权利要求1所述的用于强磁场的屏蔽装置，其特征在于，所述第一气隙结构和第二气隙结构的开口直径均为1mm。
6.根据权利要求1所述的用于强磁场的屏蔽装置，其特征在于，每层所述屏蔽器均为圆筒结构。
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