[发明专利]一种用于强磁场的屏蔽装置

说明书

本申请提供的用于强磁场的屏蔽装置，屏蔽装置为包括多层屏蔽器的复合屏蔽装置，多层屏蔽器由多种不同材料的屏蔽罩同轴环绕而成；复合屏蔽装置的最内层设置聚磁环，聚磁环的一侧设置开口；复合屏蔽装置最外层的屏蔽器上设置有气隙结构；气隙结构的开口与聚磁环的开口背向设置。本装置设计为多层结构，且不同层由不同的材质组合而成，使得屏蔽装置在强磁场环境下解决屏蔽罩磁饱和的问题，且在高磁场干扰环境下，即使外层屏蔽罩磁饱和，最里面一层屏蔽罩仍然有效保护被屏蔽体达到屏蔽效果。同时，该装置非全封闭，是可用于测量导线磁场的开口式屏蔽结构，在多层屏蔽结构外层合理设置气隙，防止过早饱和，并降低交流磁场下涡流效应导致的发热情况。

技术领域

本申请涉及电磁屏蔽技术领域，尤其涉及一种用于强磁场的屏蔽装置。

背景技术

屏蔽体为一种具有特定性能的材料，电磁屏蔽技术是指利用屏蔽体阻止或损耗电磁 骚扰能量传输的技术，是抑制电磁干扰的重要手段之一。电磁屏蔽最主要的手段是利用金属外壳对电场、磁场、电磁场进行屏蔽，传感器屏蔽设计因为高压恶劣的电磁环境而 成为必备的EMC措施。

目前用于测量导线电流的互感器、霍尔电流传感器等均是通过将被测导线的磁场信 号转换为电信号来测量导线电流值。当外界磁场干扰较强时，被测导线周围的磁场就会应干扰出现变化，使得测量值不准确。

针对上述问题，传统技术方案是在传感器周围增加一层由高导磁软磁材料如坡莫合 金、硅钢等制作的屏蔽罩，屏蔽外界磁场的干扰。此技术方案在较小的磁场干扰下往往能有较好的屏蔽效果，但是在高磁场干扰下，往往效果不佳。虽然高磁导率材料制作屏 蔽罩虽能提供非常好的屏蔽效能，但强干扰磁场下，会使高磁导率材料磁饱和，导致屏 蔽失败。且在交流强磁场作用下，屏蔽材料内会产生较大的涡流效，产生严重的热效应 引起发热情况，影响屏蔽结构内电路的工作稳定性。可见，目前现有的磁屏蔽技术难以 解决高强度磁场干扰下的磁屏蔽问题。

发明内容

本申请提供了一种用于强磁场的屏蔽装置，以解决传统屏蔽罩装置难以解决高强度 磁场干扰下的磁屏蔽问题，并降低交流磁场下涡流效应导致的发热情况。

本申请解决上述技术问题所采取的技术方案如下：

一种用于强磁场的屏蔽装置，所述屏蔽装置为包括多层屏蔽器的复合屏蔽装置，所 述多层屏蔽器由多种不同材料的屏蔽罩同轴环绕而成；

所述复合屏蔽装置的最内层设置聚磁环，所述聚磁环的一侧设置第一气隙结构；

所述复合屏蔽装置最外层的屏蔽器上设置有第二气隙结构；

所述第一气隙结构与第二气隙结构的开口背向设置。

可选的，所述屏蔽装置为包括第一屏蔽层和第二屏蔽层的双层屏蔽装置；

所述第一屏蔽层的厚度为1mm，所述第二屏蔽层的厚度也为1mm。

可选的，所述第一屏蔽层的厚度为2mm，所述第二屏蔽层的厚度为1mm。

可选的，所述第一屏蔽层的厚度为2mm，所述第二屏蔽层的厚度为2mm。

可选的，所述第一气隙结构和第二气隙结构的开口直径均为1mm。

可选的，每层所述屏蔽器均为圆筒结构。

本申请提供的技术方案包括以下有益技术效果：