[发明专利]半导体结构的制造方法和半导体结构

摘要

本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，制造方法包括：提供基底，基底上具有在第一方向上延伸的位线以及位于相邻位线之间的沟槽；形成填充沟槽的初始接触层以及初始保护层，初始接触层与基底接触，初始保护层位于初始接触层上；对初始接触层以及初始保护层进行图形化处理，以形成相互分立的接触层和相互分立的保护层；在相邻接触层之间形成介质层，介质层还位于相邻保护层之间，且介质层的材料与保护层的材料不同。本发明实施例能够提高半导体结构的性能。