[发明专利]半导体结构的制造方法和半导体结构

说明书

本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，制造方法包括：提供基底，基底上具有在第一方向上延伸的位线以及位于相邻位线之间的沟槽；形成填充沟槽的初始接触层以及初始保护层，初始接触层与基底接触，初始保护层位于初始接触层上；对初始接触层以及初始保护层进行图形化处理，以形成相互分立的接触层和相互分立的保护层；在相邻接触层之间形成介质层，介质层还位于相邻保护层之间，且介质层的材料与保护层的材料不同。本发明实施例能够提高半导体结构的性能。

技术领域

本发明实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构的制造方法和半导体结构。

背景技术

半导体结构中的动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，简称DRAM)是一种广泛应用于计算机系统的半导体存储器。DRAM的主要作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特(bit)是1还是0。

然而，为提高半导体集成电路的集成度，DRAM的特征尺寸越来越小；从而使得DRAM的制作工艺难度越来越大，其性能也有待进一步提升。

发明内容

本发明实施例解决的技术问题为提供一种半导体结构的制造方法和半导体结构，以降低DRAM的制作工艺难度，并提高半导体结构的性能。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底，所述基底上具有在第一方向上延伸的位线以及位于相邻所述位线之间的沟槽；形成填充所述沟槽的初始接触层以及初始保护层，所述初始接触层与所述基底接触，所述初始保护层位于所述初始接触层上；对所述初始接触层以及所述初始保护层进行图形化处理，以形成相互分立的接触层和相互分立的保护层；在相邻所述接触层之间形成介质层，所述介质层还位于相邻所述保护层之间，且所述介质层的材料与所述保护层的材料不同。

另外，形成所述初始接触层以及所述初始保护层的步骤包括：形成填充满所述沟槽的初始接触材料层；回刻所述初始接触材料层，以使剩余的所述初始接触材料层的顶面低于所述位线的顶面，剩余的所述初始接触材料层作为所述初始接触层；在所述初始接触层上形成所述初始保护层，且所述初始保护层顶面不低于所述位线的顶面。

另外，采用低压化学气相沉积法形成所述初始接触材料层，且所述低压化学气相沉积法的工艺参数包括：温度为380℃～500℃，气压为1Torr～3Torr。

另外，形成所述初始保护层的方法包括：旋转涂敷工艺。

另外，所述初始接触层的高度与所述位线的高度的比值为1：3～2：3。

另外，所述位线包括层叠设置的导电层以及绝缘盖层；所述图形化处理包括：刻蚀所述初始接触层、所述初始保护层和部分所述绝缘盖层，形成横跨所述初始保护层和所述绝缘盖层的隔离槽；所述隔离槽还贯穿所述初始接触层；位于剩余所述绝缘盖层内的所述隔离槽的底部高于所述导电层的顶部；所述隔离槽在第二方向上延伸，所述第二方向与所述第一方向不同；剩余的所述初始接触层作为所述接触层，剩余的所述初始保护层作为所述保护层；所述图形化处理后，还包括步骤：形成所述介质层以填充所述隔离槽。

另外，所述图形化处理对所述初始接触层和所述绝缘盖层的刻蚀选择比为3:1～50:1。

另外，所述初始接触层的材料包括多晶硅，所述绝缘盖层的材料包括氮化硅。

另外，采用干法刻蚀工艺进行所述图形化处理，且所述干法刻蚀的工艺参数包括：温度为20℃～80℃，压力为5mTorr～50mTorr，射频功率为400W～1500W。

另外，采用干法刻蚀工艺进行所述图形化处理，且所述干法刻蚀采用的刻蚀气体包括：C₄F₆、C₄F₈、Cl₂、HBr、Ar、He、CO、O₂、N₂中一种或多种气体的组合。