[发明专利]半导体结构的制造方法和半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有在第一方向上延伸的位线以及位于相邻所述位线之间的沟槽；

形成填充所述沟槽的初始接触层以及初始保护层，所述初始接触层与所述基底接触，所述初始保护层位于所述初始接触层上；

对所述初始接触层以及所述初始保护层进行图形化处理，以形成相互分立的接触层和相互分立的保护层；

在相邻所述接触层之间形成介质层，所述介质层还位于相邻所述保护层之间，且所述介质层的材料与所述保护层的材料不同。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述初始接触层以及所述初始保护层的步骤包括：

形成填充满所述沟槽的初始接触材料层；

回刻所述初始接触材料层，以使剩余的所述初始接触材料层的顶面低于所述位线的顶面，剩余的所述初始接触材料层作为所述初始接触层；

在所述初始接触层上形成所述初始保护层，且所述初始保护层顶面不低于所述位线的顶面。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，采用低压化学气相沉积法形成所述初始接触材料层，且所述低压化学气相沉积法的工艺参数包括：温度为380℃～500℃，气压为1Torr～3Torr。

4.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述初始保护层的方法包括：旋转涂敷工艺。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述初始接触层的高度与所述位线的高度的比值为1：3～2：3。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述位线包括层叠设置的导电层以及绝缘盖层；

所述图形化处理包括：刻蚀所述初始接触层、所述初始保护层和部分所述绝缘盖层，形成横跨所述初始保护层和所述绝缘盖层的隔离槽；所述隔离槽还贯穿所述初始接触层；位于剩余所述绝缘盖层内的所述隔离槽的底部高于所述导电层的顶部；

剩余的所述初始接触层作为所述接触层，剩余的所述初始保护层作为所述保护层；

所述隔离槽在第二方向上延伸，所述第二方向与所述第一方向不同；

所述图形化处理后，还包括步骤：形成所述介质层以填充所述隔离槽。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述图形化处理对所述初始接触层和所述绝缘盖层的刻蚀选择比为3:1～50:1。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述初始接触层的材料包括多晶硅，所述绝缘盖层的材料包括氮化硅。

9.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺进行所述图形化处理，且所述干法刻蚀的工艺参数包括：温度为20℃～80℃，压力为5mTorr～50mTorr，射频功率为400W～1500W。

10.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺进行所述图形化处理，且所述干法刻蚀采用的刻蚀气体包括：C₄F₆、C₄F₈、Cl₂、HBr、Ar、He、CO、O₂、N₂中一种或多种气体的组合。

11.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述介质层后，还包括步骤：去除所述保护层。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，去除所述保护层的刻蚀工艺对所述保护层的材料与所述介质层的材料的刻蚀选择比为1：10～1：100。