[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202110225729.9 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN113345845A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 舒恩·布尔;波拉·巴洛格鲁 | 申请（专利权）人： | 安靠科技新加坡控股私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/055 | 分类号： | H01L23/055;H01L23/10;H01L23/498;H05K1/18;H05K3/34;H01L21/52 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 何尤玉;郭仁建 |
| 地址： | 新加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置和制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体装置包括：衬底，所述衬底包括导电结构；电子组件，所述电子组件位于所述衬底的顶面之上并且与所述导电结构电耦接；盖结构，所述盖结构位于所述衬底之上并且位于所述电子组件之上；以及竖直互连件，所述竖直互连件位于所述盖结构中，所述竖直互连件延伸到所述盖结构的顶表面并且与所述导电结构电耦接。本文中还公开了其它实例和相关方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
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