[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202110225729.9 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN113345845A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 舒恩·布尔;波拉·巴洛格鲁 | 申请（专利权）人： | 安靠科技新加坡控股私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/055 | 分类号： | H01L23/055;H01L23/10;H01L23/498;H05K1/18;H05K3/34;H01L21/52 |
| 代理公司： | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人： | 何尤玉;郭仁建 |
| 地址： | 新加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：
衬底，所述衬底包括导电结构；
电子组件，所述电子组件位于所述衬底的顶面之上并且与所述导电结构电耦接；
盖结构，所述盖结构位于所述衬底之上并且位于所述电子组件之上；以及
竖直互连件，所述竖直互连件位于所述盖结构中，所述竖直互连件延伸到所述盖结构的顶表面并且与所述导电结构电耦接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括密封件，所述密封件位于所述衬底的所述顶面与所述盖结构的底面之间。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述盖结构包括腔，并且所述电子组件位于所述腔中。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述盖结构包括盖罩以及所述盖罩与所述衬底之间的侧壁。
5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括密封件，所述密封件位于所述盖罩与所述侧壁之间。
6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述竖直互连件包括所述盖罩中的盖竖直互连件和所述侧壁中的侧壁竖直互连件，并且所述侧壁竖直互连件与所述盖竖直互连件和所述导电结构电耦接。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括盖连接器，所述盖连接器与所述竖直互连件和所述导电结构电连接。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括外部互连件，所述外部互连件位于所述盖结构的顶面上并且与所述竖直互连件电耦接。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述盖结构包括玻璃。
10.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：
基底组件；
衬底，所述衬底位于所述基底组件的顶面之上并且包括导电结构；
电子组件，所述电子组件位于所述衬底的顶面之上并且与所述导电结构电耦接；
盖结构，所述盖结构位于所述衬底和所述电子组件之上；以及
竖直互连件，所述竖直互连件位于所述基底组件中，所述竖直互连件与所述导电结构电耦接。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括密封件，所述密封件位于所述盖结构与所述衬底之间。
12.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述盖结构包括腔，并且所述电子组件位于所述腔中。
13.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述盖结构包括盖罩以及所述盖罩与所述衬底之间的盖侧壁。
14.根据权利要求13所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括密封件，所述密封件位于所述盖罩与所述盖侧壁之间。
15.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，进一步包括外部互连件，所述外部互连件与所述竖直互连件电耦接。
16.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，所述盖结构包括玻璃。
17.一种用于制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：
提供包括导电结构的衬底；
在所述衬底的顶面之上提供电子装置并且将所述电子装置与所述导电结构电耦接；
在所述衬底的所述顶面上提供密封件；以及
在所述衬底的所述底面之上和所述电子装置之上提供盖结构。
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