[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法

说明书

半导体装置和制造半导体装置的方法。在一个实例中，一种半导体装置包括：衬底，所述衬底包括导电结构；电子组件，所述电子组件位于所述衬底的顶面之上并且与所述导电结构电耦接；盖结构，所述盖结构位于所述衬底之上并且位于所述电子组件之上；以及竖直互连件，所述竖直互连件位于所述盖结构中，所述竖直互连件延伸到所述盖结构的顶表面并且与所述导电结构电耦接。本文中还公开了其它实例和相关方法。

技术领域

本公开总体上涉及电子装置，并且更具体地涉及半导体装置和用于制造半导体装置 的方法。

背景技术

现有半导体封装体和用于形成半导体封装体的方法存在不足之处，例如造成成本过 高、可靠性降低、性能相对较低或封装体尺寸太大。对于本领域的技术人员来说，通过将常规和传统方法与本公开进行比较并且参照附图，这种方法的另外的局限性和缺点将变得明显。

发明内容

在本文公开的实例中，一种半导体装置包括：衬底，所述衬底包括导电结构；电子组件，所述电子组件位于所述衬底的顶面之上并且与所述导电结构电耦接；盖结构，所 述盖结构位于所述衬底之上并且位于所述电子组件之上；以及竖直互连件，所述竖直互 连件位于所述盖结构中，所述竖直互连件延伸到所述盖结构的顶表面并且与所述导电结 构电耦接。

所述实例中的所述半导体装置进一步包括密封件，所述密封件位于所述衬底的所述 顶面与所述盖结构的底面之间。

在所述实例中的所述半导体装置中，所述盖结构包括腔，并且所述电子组件位于所 述腔中。

在所述实例中的所述半导体装置中，所述盖结构包括盖罩以及所述盖罩与所述衬底 之间的侧壁。

所述实例中的所述半导体装置进一步包括密封件，所述密封件位于所述盖罩与所述 侧壁之间。

在所述实例中的所述半导体装置中，所述竖直互连件包括所述盖罩中的盖竖直互连 件和所述侧壁中的侧壁竖直互连件，并且所述侧壁竖直互连件与所述盖竖直互连件和所 述导电结构电耦接。

所述实例中的所述半导体装置进一步包括盖连接器，所述盖连接器与所述竖直互连 件和所述导电结构电连接。

所述实例中的所述半导体装置进一步包括外部互连件，所述外部互连件位于所述盖 结构的顶面上并且与所述竖直互连件电耦接。

在所述实例中的所述半导体装置中，所述盖结构包括玻璃。

在本文公开的另一个实例中，一种半导体装置包括：基底组件；衬底，所述衬底位于所述基底组件的顶面之上并且包括导电结构；电子组件，所述电子组件位于所述衬底 的顶面之上并且与所述导电结构电耦接；盖结构，所述盖结构位于所述衬底和所述电子 组件之上；以及竖直互连件，所述竖直互连件位于所述基底组件中，所述竖直互连件与 所述导电结构电耦接。

所述另一实例中的所述半导体装置进一步包括密封件，所述密封件位于所述盖结构 与所述衬底之间。

在所述另一实例中的所述半导体装置中，所述盖结构包括腔，并且所述电子组件位 于所述腔中。

在所述另一实例中的所述半导体装置中，所述盖结构包括盖罩以及所述盖罩与所述 衬底之间的盖侧壁。

所述另一实例中的所述半导体装置进一步包括密封件，所述密封件位于所述盖罩与 所述盖侧壁之间。

所述另一实例中的所述半导体装置进一步包括外部互连件，所述外部互连件与所述 竖直互连件电耦接。

在所述另一实例中的所述半导体装置中，所述盖结构包括玻璃。