[发明专利]半导体结构、集成电路及其形成方法在审
| 申请号： | 202110220202.7 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113178413A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 萧锦涛;黄湘琪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了半导体结构，包括第一栅极和与该第一栅极对齐的第二栅极、第一栅极通孔、第二栅极通孔、多个导电部段、以及第一导电线。第一栅极通孔设置在第一栅极上，第二栅极通孔设置在第二栅极上。第一栅极和第二栅极配置为耦合至第二逻辑电路的端子的第一逻辑电路的端子。第一导电线经由第一连接通孔和第一栅极通孔耦合至第一栅极，并且经由第二连接通孔和第二栅极通孔电耦合至第二栅极。本发明的实施例还涉及集成电路及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 集成电路 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
