[发明专利]半导体结构、集成电路及其形成方法

说明书

公开了半导体结构，包括第一栅极和与该第一栅极对齐的第二栅极、第一栅极通孔、第二栅极通孔、多个导电部段、以及第一导电线。第一栅极通孔设置在第一栅极上，第二栅极通孔设置在第二栅极上。第一栅极和第二栅极配置为耦合至第二逻辑电路的端子的第一逻辑电路的端子。第一导电线经由第一连接通孔和第一栅极通孔耦合至第一栅极，并且经由第二连接通孔和第二栅极通孔电耦合至第二栅极。本发明的实施例还涉及集成电路及其形成方法。

技术领域

本发明的实施例涉及半导体结构、集成电路及其形成方法。

背景技术

集成电路已被广泛用于各种用途，对更快处理速度和更低功耗的需求 在不断增加。但是，栅极电阻很影响集成电路的性能。因此，需要优化集 成电路布局设计，包括各个层的部件，诸如耦合至栅极结构的通孔的导电 结构和其他金属布线。

发明内容

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种半导体结构，包括：第一 栅极和第二栅极，设置在第一层中并且在第一方向上相互对齐；至少一个 第一栅极通孔和至少一个第二栅极通孔，第一栅极通孔设置在第一栅极上， 第二栅极通孔设置在第二栅极上；第一导电部段和第二导电部段，设置在 第一层上方的第二层中，其中，第一导电部段和第二导电部段分别耦合至 第一栅极通孔和第二栅极通孔；以及第一导电线，设置在第二层上方的第三层中并且在第一方向上延伸。其中，第一栅极和第二栅极配置为第一逻 辑电路的端子，其中，第一导电线经由第一连接通孔、第一导电部段和至 少一个第一栅极通孔电耦合至第一栅极，以及其中，第一导电线经由第二 连接通孔、第二导电部段和至少一个第二栅极通孔电耦合至第二栅极。

根据本发明实施例的另一个方面，提供了一种集成电路，包括：第一 对晶体管，包括：第一栅极，沿着第一方向延伸；和第一有源区域和第二 有源区域，第二有源区域在第一方向上与第一有源区域分离，其中，第一 栅极穿过第一有源区域和第二有源区域；至少一个第一栅极通孔和至少一 个第二栅极通孔，耦合至第一栅极，其中，至少一个第一栅极通孔布置为 相比于至少一个第二栅极通孔更靠近第一有源区域；以及第一导电线，电 耦合至至少一个第一栅极通孔和至少一个第二栅极通孔。其中，至少一个 第一栅极通孔、至少一个第二栅极通孔以及第一导电线包括在耦合至第一 对晶体管的第一栅极的导电路径中。

根据本发明实施例的又一个方面，提供了一种形成集成电路的方法， 包括:形成第一类型的第一晶体管和不同于第一类型的第二类型的第二晶 体管所共用的栅极结构；在栅极结构上形成至少一个第一栅极通孔和至少 一个第二栅极通孔；以及形成经由多个导电通孔、多个导电部段、至少一 个第一栅极通孔以及至少一个第二栅极通孔耦合至栅极结构的导电线。其 中，栅极结构和导电线沿着第一方向延伸。

附图说明

当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可最佳理解本发明的各方面。 应该注意，根据工业中的标准实践，各种部件未按比例绘制。实际上，为 了清楚的论述，各种部件的尺寸可任意地增大或减小。

图1A是根据各个实施例的集成电路的一部分的等效电路。

图1B是根据各个实施例的对应于图1A中的集成电路的一部分的等效 电路的详细电路。

图2A是根据各个实施例的对应于图1B的一部分的集成电路的一部分 的平面布局图。

图2B是根据各个实施例的图2A中的集成电路的一部分的截面图。

图3是根据各个实施例的对应于图1B的一部分的集成电路的一部分的 另一平面布局图。

图4A是根据各个实施例的对应于图1B的一部分的集成电路的一部分 的另一平面布局图。

图4B是根据各个实施例的图4A中的集成电路的一部分的截面图。

图5A是根据各个实施例的对应于图1B的一部分的集成电路的一部分 的另一平面布局图。