[发明专利]半导体结构、集成电路及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

第一栅极和第二栅极，设置在第一层中并且在第一方向上相互对齐；

至少一个第一栅极通孔和至少一个第二栅极通孔，所述第一栅极通孔设置在所述第一栅极上，所述第二栅极通孔设置在所述第二栅极上；

第一导电部段和第二导电部段，设置在所述第一层上方的第二层中，其中，所述第一导电部段和所述第二导电部段分别耦合至所述第一栅极通孔和所述第二栅极通孔；以及

第一导电线，设置在所述第二层上方的第三层中并且在所述第一方向上延伸；

其中，所述第一栅极和所述第二栅极配置为第一逻辑电路的端子，

其中，所述第一导电线经由第一连接通孔、所述第一导电部段和所述至少一个第一栅极通孔电耦合至所述第一栅极，以及

其中，所述第一导电线经由第二连接通孔、所述第二导电部段和所述至少一个第二栅极通孔电耦合至所述第二栅极。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一栅极和所述第二栅极作为在所述第一方向上延伸的栅极结构而相互连接。

3.根据权利要求2所述的半导体结构，还包括：

第一有源区域和第二有源区域，在所述第一方向上相互分离，并且在不同于所述第一方向的第二方向上延伸；

其中，所述至少一个第一栅极通孔包括多个第一栅极通孔，所述至少一个第二栅极通孔包括多个第二栅极通孔；

其中，一个数量的所述多个第一栅极通孔在所述第一方向上沿着所述第一有源区域的宽度对齐，一个数量的所述多个第二栅极通孔在所述第一方向上沿着所述第二有源区域的宽度对齐。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其中，所述多个第一栅极通孔的所述数量随着所述第一有源区域的所述宽度增加而增加。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述至少一个第一栅极通孔和所述至少一个第二栅极通孔分别包括多个第一栅极通孔和多个第二栅极通孔，并且其中，所述多个第一栅极通孔的数量与所述多个第二栅极通孔的数量相同。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第一有源区域和第二有源区域，在所述第一方向上相互分离，并且在不同于所述第一方向的第二方向上延伸；

其中，所述第一栅极通孔在所述第一方向上与所述第一有源区域的中心对齐，并且所述第二栅极通孔在所述第一方向上与所述第二有源区域的中心对齐。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：

第三栅极和第四栅极，设置在所述第一层中并且在所述第一方向上相互对齐；

第三栅极通孔和第四栅极通孔，所述第三栅极通孔设置在所述第三栅极上，所述第四栅极通孔设置在所述第四栅极上；

第三导电部段和第四导电部段，所述第三导电部段耦合至所述第三栅极，所述第四导电部段耦合至所述第四栅极，其中，所述第三导电部段和所述第四导电部段设置在所述第二层中；以及

第二导电线，设置在所述第三层中并且在所述第一方向上延伸；

其中，所述第三栅极和所述第四栅极配置为第二逻辑电路的端子，所述第一逻辑电路和所述第二逻辑电路相互耦合。

8.一种集成电路，包括：

第一对晶体管，包括：

第一栅极，沿着第一方向延伸；和

第一有源区域和第二有源区域，所述第二有源区域在所述第一方向上与所述第一有源区域分离，其中，所述第一栅极穿过所述第一有源区域和所述第二有源区域；

至少一个第一栅极通孔和至少一个第二栅极通孔，耦合至所述第一栅极，其中，所述至少一个第一栅极通孔布置为相比于所述至少一个第二栅极通孔更靠近所述第一有源区域；以及

第一导电线，电耦合至所述至少一个第一栅极通孔和所述至少一个第二栅极通孔；

其中，所述至少一个第一栅极通孔、所述至少一个第二栅极通孔以及所述第一导电线包括在耦合至所述第一对晶体管的所述第一栅极的导电路径中。