[发明专利]掩膜版以及虚拟沟道孔的制作方法有效
| 申请号： | 202110219733.4 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113009772B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 郑亮;刘隆冬;黄海辉;郑安发 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/70;H10B41/30;H10B41/27;H10B43/30;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 高洁;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例公开了一种掩膜版以及虚拟沟道孔的制作方法。所述掩膜版应用于三维存储器中虚拟沟道孔的制作，包括：掩膜图案阵列，包括：沿第一方向并列设置的多个第一子图案；其中，所述第一子图案位于所述掩膜图案阵列最外侧；每个所述第一子图案包括：第一凹部；其中，所述第一凹部沿所述第一子图案边缘向所述第一子图案中心凹陷；所述第一凹部的开口朝向所述掩膜图案阵列的外侧；位于所述掩膜图案阵列同一侧的所述多个第一子图案的所述第一凹部的开口朝向相同。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜版 以及 虚拟 沟道 制作方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
