[发明专利]掩膜版以及虚拟沟道孔的制作方法

权利要求书

1.一种掩膜版，其特征在于，所述掩膜版应用于三维存储器中虚拟沟道孔的制作，包括：

掩膜图案阵列，包括：沿第一方向并列设置的多个第一子图案；其中，所述第一子图案位于所述掩膜图案阵列最外侧；

每个所述第一子图案包括：第一凹部；其中，所述第一凹部沿所述第一子图案边缘向所述第一子图案中心凹陷；所述第一凹部的开口朝向所述掩膜图案阵列的外侧；位于所述掩膜图案阵列同一侧的所述多个第一子图案的所述第一凹部的开口朝向相同。

2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜图案阵列还包括：

沿第一方向并列设置的多个第二子图案；其中，所述第二子图案与所述第一子图案沿第二方向并列设置；所述第二方向垂直于所述第一方向；

所述第二子图案包括：第二凹部；其中，所述第二凹部的凹陷方向与相对靠近所述第二凹部的所述第一凹部凹陷方向相同，所述第二凹部的凹陷程度小于所述第一凹部的凹陷程度。

3.根据权利要求2所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜图案阵列还包括：

沿第一方向并列设置的多个第三子图案；其中，所述第三子图案，与所述第一子图案以及所述第二子图案沿第二方向并列设置；所述第二子图案位于所述第一子图案与所述第三子图案之间；

所述第一子图案和所述第二子图案之间的第一间距，不小于所述第二子图案和所述第三子图案之间的第二间距。

4.根据权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述第一间距小于450nm。

5.根据权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述第三子图案的形状包括：圆形或椭圆形。

6.根据权利要求3所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包括：

相对设置的第一表面及第二表面；其中，所述第一子图案、所述第二子图案和所述第三子图案，均包括贯穿所述第一表面及所述第二表面的空隙。

7.根据权利要求3至6任一项所述的掩膜版，其特征在于，

所述第一子图案、第二子图案和第三子图案透光；

所述掩膜版还包括不透光的基体部分。

8.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一凹部包括第一界面和第二界面；所述第一界面和所述第二界面之间的夹角小于180°。

9.根据权利要求8所述的掩膜版，其特征在于，所述第一界面和所述第二界面包括：凸面或平面。

10.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述第一子图案的形状包括：扇形。

11.一种虚拟沟道孔的制作方法，其特征在于，所述虚拟沟道孔应用如权利要求1至10任一项所述的掩膜版制作而成，所述方法包括：

提供半导体结构；其中，所述半导体结构包括衬底、位于所述衬底上的堆叠结构以及贯穿所述堆叠结构的沟道孔阵列或存储单元串阵列，所述沟道孔阵列用于形成所述存储单元串阵列；

对准所述掩膜图案阵列和所述衬底上用于形成虚拟沟道孔的区域，并使位于所述掩膜图案阵列同一侧的所述多个第一子图案的第一凹部朝向所述沟道孔阵列或所述存储单元串阵列；

通过所述掩膜图案阵列，在所述衬底上形成虚拟沟道孔。