[发明专利]掩膜版以及虚拟沟道孔的制作方法

说明书

本公开实施例公开了一种掩膜版以及虚拟沟道孔的制作方法。所述掩膜版应用于三维存储器中虚拟沟道孔的制作，包括：掩膜图案阵列，包括：沿第一方向并列设置的多个第一子图案；其中，所述第一子图案位于所述掩膜图案阵列最外侧；每个所述第一子图案包括：第一凹部；其中，所述第一凹部沿所述第一子图案边缘向所述第一子图案中心凹陷；所述第一凹部的开口朝向所述掩膜图案阵列的外侧；位于所述掩膜图案阵列同一侧的所述多个第一子图案的所述第一凹部的开口朝向相同。

技术领域

本公开实施例涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种掩膜版以及虚拟沟道孔的制作方法。

背景技术

随着对于存储器存储密度的需求越来越大，开发出了三维结构的存储器，其包括栅叠层结构以及垂直贯穿栅叠层结构的沟道柱，其中，沟道柱用于进行信息存储。此外，在通过去除堆叠结构中的牺牲层以形成控制栅极的后栅工艺中，沟道柱还可起到支撑作用，避免去除牺牲层后堆叠结构坍塌。

为了进一步提高存储密度，用于形成栅叠层结构的堆叠结构的层数逐渐增加，且沟道柱的尺寸逐渐减小。在后栅工艺中，沟道柱的支撑作用逐渐减弱。相关技术中，可形成虚拟沟道孔(Dummy Channel Hole)，并填充该虚拟沟道孔形成虚拟柱，以提高去除牺牲层过程中对于堆叠结构的支撑作用。然而，形成有虚拟柱的存储器性能较差，因此，如何在提高支撑作用的同时保证存储器的性能较好，成为亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本公开实施例提供一种掩膜版以及虚拟沟道孔的制作方法。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种掩膜版，所述掩膜版应用于三维存储器中虚拟沟道孔的制作，包括：

掩膜图案阵列，包括：沿第一方向并列设置的多个第一子图案；其中，所述第一子图案位于所述掩膜图案阵列最外侧；

每个所述第一子图案包括：第一凹部；其中，所述第一凹部沿所述第一子图案边缘向所述第一子图案中心凹陷；所述第一凹部的开口朝向所述掩膜图案阵列的外侧；位于所述掩膜图案阵列同一侧的所述多个第一子图案的所述第一凹部的开口朝向相同。

在一些实施例中，所述掩膜图案阵列还包括：

沿第一方向并列设置的多个第二子图案；其中，所述第二子图案与所述第一子图案沿第二方向并列设置；所述第二方向垂直于所述第一方向；

所述第二子图案包括：第二凹部；其中，所述第二凹部的凹陷方向与相对靠近所述第二凹部的所述第一凹部凹陷方向相同，所述第二凹部的凹陷程度小于所述第一凹部的凹陷程度。

在一些实施例中，所述掩膜图案阵列还包括：

沿第一方向并列设置的多个第三子图案；其中，所述第三子图案，与所述第一子图案以及所述第二子图案沿第二方向并列设置；所述第二子图案位于所述第一子图案与所述第三子图案之间；

所述第一子图案和所述第二子图案之间的第一间距，不小于所述第二子图案和所述第三子图案之间的第二间距。

在一些实施例中，所述第一间距小于450nm。

在一些实施例中，所述第三子图案的形状包括：圆形或椭圆形。

在一些实施例中，所述掩膜版包括：

相对设置的第一表面及第二表面；其中，所述第一子图案、所述第二子图案和所述第三子图案，均包括贯穿所述第一表面及所述第二表面的空隙。

在一些实施例中，所述第一子图案、第二子图案和第三子图案透光；

所述掩膜版还包括不透光的基体部分。

在一些实施例中，所述第一凹部包括第一界面和第二界面；

所述第一界面和所述第二界面之间的夹角小于180°。