[发明专利]一种基于集电区双扩散的高厄利电压横向PNP晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110218622.1 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN112993015B | 公开（公告）日： | 2023-02-07 |
| 发明（设计）人： | 孙有民;王清波;赵杰;卓青青;温富刚;王成熙 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/06;H01L29/735;H01L21/331;H01L21/265;H01L21/266 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 王艾华 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于集电区双扩散的高厄利电压横向PNP晶体管及其制备方法，该晶体管通过在P型集电区的侧壁和底部设置一层磷杂质基区，因磷杂质的扩散系数高于硼杂质的扩散系数，在后续集电区退火再扩散过程中N型杂质(磷杂质)和P型杂质(硼杂质)双扩散，提高横向PNP晶体管基区在集电区一侧的N型杂质浓度梯度，而在发射区一侧N型杂质浓度不受影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 集电区双 扩散 高厄利 电压 横向 pnp 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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