[发明专利]一种基于集电区双扩散的高厄利电压横向PNP晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种基于集电区双扩散的高厄利电压横向PNP晶体管，其特征在于，包括N型外延层（1），N型外延层（1）中设置有发射区（5）和P型集电区（2），发射区（5）被P型集电区（2）围绕；所述P型集电区（2）的侧壁和底部均被磷杂质基区（4）包裹；所述磷杂质基区（4）与发射区（5）不接触，且磷杂质基区（4）与发射区（5）之间的区域为N型外延层（1），所述发射区（5）和P型集电区（2）中注入有硼杂质离子，N型外延层（1）中注入有磷杂质，磷杂质基区（4）中的磷杂质浓度高于N型外延层（1）中的磷杂质浓度。

2.一种权利要求1所述的基于集电区双扩散的高厄利电压横向PNP晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，在N型外延层（1）上制备二氧化硅层（3）；

步骤2，在二氧化硅层（3）的表面涂覆光刻胶（6），光刻形成P型集电区（2）的窗口和发射区（5）的窗口；

步骤3，对P型集电区（2）的窗口和发射区（5）的窗口同时注入P型硼杂质离子；

步骤4，对P型集电区（2）再次注入N型磷杂质，得到过程高厄利电压横向PNP晶体管；

步骤5，将步骤4制得的过程高厄利电压横向PNP晶体管进行退火后，形成最终的高厄利电压横向PNP晶体管。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤3中，注入P型硼杂质离子后，去除二氧化硅层（3）表面的光刻胶（6），然后再次涂覆一层光刻胶（6），再次通过光刻形成P型集电区（2）的窗口，然后进行步骤4。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤2中和步骤3中光刻胶（6）的厚度均为1.3μm。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤2和步骤3中，在形成P型集电区（2）的窗口和发射区（5）的窗口前，通过曝光和显影在光刻胶上形成相对应窗口的图形。

6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤3中，注入P型硼杂质离子的能量为60keV，注入剂量为4E14cm^-2；步骤4中，注入N型磷杂质的能量为120keV，注入剂量1E12cm^-2。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤5中，退火分为两个阶段，第一阶段的退火温度为1050℃ ，退火时间为90min；第二阶段的退火温度为1150℃，退火时间为85min。

8.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，步骤3中，注入P型硼杂质离子的能量为50keV，注入剂量1E15cm^-2；步骤4中，注入N型磷杂质的能量为60keV，注入剂量2E12cm^-2。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤5中，退火温度为1100℃，退火时间为 50min。