[发明专利]一种硅片偏移量确定方法及硅片交接精度检测方法在审
| 申请号： | 202110210408.1 | 申请日： | 2021-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN113035734A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 赵文成;胡海;黃承锦 | 申请（专利权）人： | 北京华卓精科科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/68 |
| 代理公司： | 北京荟英捷创知识产权代理事务所(普通合伙) 11726 | 代理人： | 张阳 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种硅片偏移量确定方法及硅片交接精度检测方法，涉及半导体技术领域，上述硅片偏移量确定方法包括：当硅片位于预设交接位时，基于第一光电传感器获取硅片上第一预设标记点的第一坐标；其中，第一光电传感器的焦平面位于预设交接位处硅片的上表面；当硅片位于承片台时，基于第二光电传感器获取硅片上第二预设标记点的第二坐标；其中，第二光电传感器的焦平面位于承片台处硅片的上表面；基于第一坐标和第二坐标确定硅片的偏移量。本发明能够精确计算得到硅片的偏移量，提升了硅片偏移量检测的准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 偏移 确定 方法 交接 精度 检测 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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