[发明专利]一种硅片偏移量确定方法及硅片交接精度检测方法

权利要求书

1.一种硅片偏移量确定方法，其特征在于，包括：

当硅片位于预设交接位时，基于第一光电传感器获取所述硅片上第一预设标记点的第一坐标；其中，所述第一光电传感器的焦平面位于所述预设交接位处硅片的上表面；

当所述硅片位于承片台时，基于第二光电传感器获取所述硅片上第二预设标记点的第二坐标；其中，所述第二光电传感器的焦平面位于所述承片台处硅片的上表面；

基于所述第一坐标和所述第二坐标确定所述硅片的偏移量。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一坐标为第一坐标系下的坐标，所述第二坐标为第二坐标系下的坐标；所述基于所述第一坐标和所述第二坐标确定所述硅片的偏移量的步骤，包括：

基于所述第一坐标计算所述硅片的中心点在所述第一坐标系下的坐标，得到中心点第一坐标；

基于所述第二坐标计算所述硅片的中心点在所述第一坐标系下的坐标，得到中心点第二坐标；

基于所述中心点第一坐标和所述中心点第二坐标确定所述硅片在交接过程中的偏移量。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

基于所述第一预设标记点和所述第二预设标记点，确定所述第一预设标记点与所述第二预设标记点的坐标转换关系。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一预设标记点包括两个或两个以上标记点；所述基于所述第一坐标计算所述硅片的中心点在所述第一坐标系下的坐标，得到中心点第一坐标的步骤，包括：

基于所述第一坐标中各标记点的坐标确定所述硅片与所述第一坐标系横轴的第一夹角；

基于所述第一坐标、所述第一夹角及所述坐标转换关系，计算所述第二预设标记点在所述第一坐标系中的第一目标坐标；

获取所述第一预设标记点及所述第二预设标记点在所述硅片上的位置信息，基于第一目标坐标及所述位置信息确定所述硅片的中心点在所述第一坐标系下的坐标，得到中心点第一坐标。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二预设标记点包括两个或两个以上标记点；所述基于所述第二坐标计算所述硅片的中心点在所述第一坐标系下的坐标，得到中心点第二坐标的步骤，包括：

基于所述第二预设标记点中各标记点在所述第二坐标系下的坐标，确定所述硅片与所述第二坐标系横轴的第二夹角；

基于所述第二坐标、所述第二夹角及所述坐标转换关系，计算所述第二预设标记点在所述第一坐标系下的第二目标坐标；

获取所述第一预设标记点及所述第二预设标记点在所述硅片上的位置信息，基于第二目标坐标及所述位置信息确定所述硅片的中心点在所述第一坐标系下的坐标，得到中心点第二坐标。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述偏移量包括横向偏移量、纵向偏移量和硅片转角；所述基于所述第一中心点坐标和所述第二中心点坐标确定所述硅片在交接过程中的偏移量的步骤，包括：

计算所述第一中心点坐标与所述第二中心点坐标的横坐标差值，得到所述横向偏移量；

计算所述第一中心点坐标与所述第二中心点坐标的纵坐标差值，得到所述纵向偏移量；

基于所述硅片与所述第一坐标系横轴的第一夹角及所述硅片与所述第二坐标系横轴的第二夹角，确定所述硅片在交接过程中的硅片转角。

7.一种硅片交接精度检测方法，其特征在于，应用于光刻机，所述硅片交接精度检测方法包括：

基于权利要求1-6任一项所述硅片偏移量确定方法，检测硅片在多次交接上片过程中的偏移量，得到多组偏移量；

对所述多组偏移量进行正态分布计算，得到所述光刻机的硅片交接精度。