[发明专利]一种硅片偏移量确定方法及硅片交接精度检测方法

说明书

本发明提供了一种硅片偏移量确定方法及硅片交接精度检测方法，涉及半导体技术领域，上述硅片偏移量确定方法包括：当硅片位于预设交接位时，基于第一光电传感器获取硅片上第一预设标记点的第一坐标；其中，第一光电传感器的焦平面位于预设交接位处硅片的上表面；当硅片位于承片台时，基于第二光电传感器获取硅片上第二预设标记点的第二坐标；其中，第二光电传感器的焦平面位于承片台处硅片的上表面；基于第一坐标和第二坐标确定硅片的偏移量。本发明能够精确计算得到硅片的偏移量，提升了硅片偏移量检测的准确性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种硅片偏移量确定方法及硅片交接精度检测方法。

背景技术

在硅片的交接上片过程中，测试工装上的片叉(Gripper)把硅片送到交接位，提升销(elevator pin，也可以称为Epin、针脚或e销)部件通真空，上升到硅片下表面，与片叉完成硅片转移，并带硅片运动到上极限位。在Epin举升状态下，上片机械手片叉撤出，Epin将硅片放置到承片台上且由承片台吸盘固定。由于系统内的各种误差与扰动，上片交接过程中，硅片在水平面有位置偏移量，为了检测光刻机的精确度，需要进行硅片交接重复定位性能测试，检测交接过程中的硅片位置偏移量，确定偏移量是否满足要求。

现有的硅片定位技术，主要采用光电传感器上下移动检测交接位和承片台处硅片上的标记点进行硅片定位的，由于交接位和硅片承片台处于不同的高度位置，光电传感器在上下移动时容易在水平产生误差，进而在硅片定位中将移动产生的误差带进硅片定位数据中，降低了硅片定位精度，进而使计算得到的硅片偏移量存在误差，降低了硅片偏移量检测的准确性。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种硅片偏移量确定方法及硅片交接精度检测方法，能够精确计算得到硅片的偏移量，提升了硅片偏移量检测的准确性。

为了实现上述目的，本发明实施例采用的技术方案如下：

第一方面，本发明实施例提供了一种硅片偏移量确定方法，包括：当硅片位于预设交接位时，基于第一光电传感器获取所述硅片上第一预设标记点的第一坐标；其中，所述第一光电传感器的焦平面位于所述预设交接位处硅片的上表面；当所述硅片位于承片台时，基于第二光电传感器获取所述硅片上第二预设标记点的第二坐标；其中，所述第二光电传感器的焦平面位于所述承片台处硅片的上表面；基于所述第一坐标和所述第二坐标确定所述硅片的偏移量。

优选的，所述第一坐标为第一坐标系下的坐标，所述第二坐标为第二坐标系下的坐标；所述基于所述第一坐标和所述第二坐标确定所述硅片的偏移量的步骤，包括：基于所述第一坐标计算所述硅片的中心点在所述第一坐标系下的坐标，得到中心点第一坐标；基于所述第二坐标计算所述硅片的中心点在所述第二坐标系下的坐标，得到中心点第二坐标；基于所述中心点第一坐标和所述中心点第二坐标确定所述硅片在交接过程中的偏移量。

优选的，所述方法还包括：基于所述第一预设标记点和所述第二预设标记点，确定所述第一预设标记点与所述第二预设标记点的坐标转换关系。

优选的，所述第一预设标记点包括两个或两个以上标记点；所述基于所述第一坐标计算所述硅片的中心点在所述第一坐标系下的坐标，得到中心点第一坐标的步骤，包括：基于所述第一坐标中各标记点的坐标确定所述硅片与所述第一坐标系横轴的第一夹角；基于所述第一坐标、所述第一夹角及所述坐标转换关系，计算所述第二预设标记点在所述第一坐标系中的第一目标坐标；获取所述第一预设标记点及所述第二预设标记点在所述硅片上的位置信息，基于第一目标坐标及所述位置信息确定所述硅片的中心点在所述第一坐标系下的坐标，得到中心点第一坐标。