[发明专利]一种位线接触孔和DRAM的制造方法在审
| 申请号： | 202110206162.0 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN114975285A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 慎寿范;周娜;李俊杰;王佳;李琳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 牛洪瑜 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种位线接触孔和DRAM的制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有C1区域在刻蚀后进行两次PR剥离及清洁工艺，导致衬底硅及周边氧化物的损失不均衡的问题。方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括有源区和将相邻有源区隔离开的浅沟槽隔离区，有源区包括相间设置的第一区域和第二区域；在半导体衬底上方顺序形成缓冲层、阻挡层、下硬掩模层、第一上硬掩模层、第一抗反射层和第一光刻掩模层；在第一区域中，形成下硬掩模层图案；在第一区域中的下硬掩模层图案上方顺序形成第二上硬掩模层、第二抗反射层和第二光刻掩模层；在第二区域中，形成下硬掩模层图案；以及在第一区域和第二区域中，形成位线接触孔。消除有源区损失不均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 接触 dram 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110206162.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种玩具水泡枪
- 下一篇：一种改进去污性能的化工污水处理设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
