[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110205686.8 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN114975605A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 金吉松 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，包括衬底以及位于衬底上的鳍部，衬底包括用于形成第一器件的第一区域以及用于形成第二器件的第二区域，第一器件的沟道宽度小于第二器件的沟道宽度；隔离层，位于鳍部露出的衬底上且覆盖鳍部的部分侧壁；器件栅极结构，位于隔离层上且横跨鳍部，器件栅极结构覆盖鳍部的部分顶部和部分侧壁；鳍部侧墙，位于第一区域中的器件栅极结构下方，鳍部侧墙覆盖隔离层露出的鳍部的部分侧壁。本发明在鳍部侧墙的作用下，使第一区域中受器件栅极结构控制的鳍部高度变小，第一区域的鳍部的有效沟道宽度相应变小，从而实现第一器件和第二器件具有不同沟道宽度的效果，提高了调节器件有效沟道宽度的灵活性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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