[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，包括衬底以及位于所述衬底上的鳍部，所述衬底包括用于形成第一器件的第一区域以及用于形成第二器件的第二区域，所述第一器件的沟道宽度小于所述第二器件的沟道宽度；

隔离层，位于所述鳍部露出的衬底上且覆盖所述鳍部的部分侧壁；

器件栅极结构，位于所述隔离层上且横跨所述鳍部，所述器件栅极结构覆盖所述鳍部的部分顶部和部分侧壁；

鳍部侧墙，位于所述第一区域中的器件栅极结构下方，所述鳍部侧墙覆盖所述隔离层露出的鳍部的部分侧壁。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述鳍部侧墙包括残余伪栅结构。

3.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述鳍部侧墙位于所述鳍部和隔离层顶部的拐角处并覆盖鳍部的部分侧壁；

或者，所述鳍部侧墙覆盖所述鳍部露出的隔离层顶部并覆盖鳍部的部分侧壁；

或者，部分的所述鳍部侧墙位于所述鳍部和隔离层顶部的拐角处并覆盖鳍部的部分侧壁，剩余的所述鳍部侧墙覆盖所述鳍部露出的隔离层顶部并覆盖鳍部的部分侧壁。

4.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：隔断结构，位于所述第一区域和第二区域的交界处的隔离层上，所述隔断结构用于在所述鳍部的排列方向上对所述第一区域和第二区域中的器件栅极结构进行隔离；

在所述第一区域中，位于所述隔断结构和相邻鳍部之间的所述鳍部侧墙覆盖所述鳍部露出的隔离层顶部并覆盖鳍部的部分侧壁，剩余的所述鳍部侧墙位于所述鳍部和隔离层顶部的拐角处并覆盖鳍部的部分侧壁。

5.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：栅氧化层，位于所述残余伪栅结构和鳍部的侧壁之间。

6.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征在于，所述鳍部侧墙的材料包括多晶硅、非晶硅和氧化硅中的一种或多种。

7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，被所述鳍部侧墙覆盖的鳍部高度为至

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述器件栅极结构包括栅介质层以及覆盖所述栅介质层的栅极层。

9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述器件栅极结构包括金属栅极结构。

10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述衬底的材料包括硅、锗、锗化硅、碳化硅、砷化镓、镓化铟、绝缘体上的硅或绝缘体上的锗。

11.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述鳍部的材料包括硅、锗、锗化硅、碳化硅、砷化镓或镓化铟。

12.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或碳氮氧化硅。

13.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述隔断结构的材料包括氮化硅、氮氧化硅或氧化硅。

14.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述栅氧化层的材料包括氧化硅或氮氧化硅。

15.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述栅介质层的材料包括HfO₂、ZrO₂、HfSiO、HfSiON、HfTaO、HfTiO、HfZrO或Al₂O₃。

16.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述栅极层的材料包括TiN、TaN、Ta、Ti、TiAl、W、AL、TiSiN和TiAlC中的一种或多种。