[发明专利]DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备在审
| 申请号： | 202110193200.3 | 申请日： | 2021-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN112802532A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 孙成思;孙日欣;雷泰 | 申请（专利权）人： | 深圳佰维存储科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/18 | 分类号： | G11C29/18 |
| 代理公司： | 深圳市博锐专利事务所 44275 | 代理人： | 王芳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区桃*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备，通过对待测试的DRAM进行两轮测试，以预设测试单元为单位从所述待测试的DRAM的首位地址和末位地址开始往中间遍历直至遍历完所述待测试的DRAM的所有存储单元，对于遍历到的目标测试单元，基于所述预设测试数据向所述目标测试单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较，通过两轮测试的比较结果得到最终测试结果，能够模拟先激活行，对某列进行访问后，再对行进行预充电的ACT‑PRE操作，覆盖此前的测试盲区并检测出现有技术中较难被发现的芯片缺陷，提高了故障覆盖率，增强测试结果的可靠性，从而提高产品良性。 | ||
| 搜索关键词： | dram 测试 方法 装置 可读 存储 介质 电子设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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