[发明专利]DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备

权利要求书

1.一种DRAM测试方法，其特征在于，包括步骤：

对待测试的DRAM进行两轮测试，分别得到第一比较结果和第二比较结果；

所述测试包括：

对所述待测试的DRAM写入预设测试数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据；

以预设测试单元为单位从所述待测试的DRAM的首位地址和末位地址开始往中间遍历直至遍历完所述待测试的DRAM的所有存储单元；

对于遍历到的目标测试单元，基于所述预设测试数据向所述目标测试单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较；

第一轮测试的预设测试数据为第二轮测试的预设测试数据的反数；

根据所述第一比较结果和第二比较结果得到所述待测试的DRAM的测试结果。

2.根据权利要求1所述的一种DRAM测试方法，其特征在于，所述对所述待测试的DRAM写入预设测试数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据包括：

以预设突发长度为单位从所述待测试的DRAM的每一预设读写单元的低位地址开始写入所述预设测试数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据。

3.根据权利要求1所述的一种DRAM测试方法，其特征在于，所述以预设测试单元为单位从所述待测试的DRAM的首位地址和末位地址开始往中间遍历直至遍历完所述待测试的DRAM的所有存储单元包括：

从所述待测试的DRAM中未遍历的存储区域的首位地址开始往中间遍历一个所述预设测试单元，再跳转至所述待测试的DRAM中未遍历的存储区域的末位地址，从所述末位地址开始往中间遍历一个所述预设测试单元；

返回执行从所述待测试的DRAM中未遍历的存储区域的首位地址开始往中间遍历一个所述预设测试单元步骤，直至遍历完所述待测试的DRAM的所有存储单元。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的一种DRAM测试方法，其特征在于，依次执行两次所述以预设测试单元为单位从所述待测试的DRAM的首位地址和末位地址开始往中间遍历直至遍历完所述待测试的DRAM的所有存储单元；

所述预设测试单元包括多个预设操作单元；

所述对于遍历到的目标测试单元，基于所述预设测试数据向所述目标测试单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较包括：

对于第一次遍历中遍历到的第一目标测试单元，读取所述第一目标测试单元中每一预设操作单元的数据，将读取到的数据与对应写入的数据进行比较；

对于每一预设操作单元，在进行所述比较之后，判断所述预设操作单元是否处于所述预设测试单元的奇数位置，若是，则向所述预设操作单元写入所述预设测试数据的反数；

对于第二次遍历中遍历到的第二目标测试单元，读取所述第二目标测试单元中每一预设操作单元的数据，将读取到的数据与对应写入的数据进行比较；

对于每一预设操作单元，在进行所述比较之后，判断所述预设操作单元是否处于所述预设测试单元的偶数位置，若是，则向所述预设操作单元写入所述预设测试数据的反数。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的一种DRAM测试方法，其特征在于，所述第二轮测试还包括步骤：

读取所述待测试的DRAM的所有预设测试单元的数据，将读取到的数据与对应写入的数据进行比较。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的一种DRAM测试方法，其特征在于，所述预设读写单元包括行或列。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的一种DRAM测试方法，其特征在于，所述根据所述第一比较结果和第二比较结果得到所述待测试的DRAM的测试结果包括：

若所述第一比较结果与所述第二比较结果均为比较结果一致，则测试结果为成功；否则，测试结果为失败。