[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110190252.5 | 申请日： | 2021-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN113284943A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 吕侑珊;周鸿儒;高珮玲;廖晨瑄;张志仲;郭俊铭;许哲源 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/08;H01L29/423;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体结构包括：SiGe鳍，从衬底突出，其中，SiGe鳍包括具有第一侧壁和第二侧壁的顶部以及具有第三侧壁和第四侧壁的底部，并且其中，将第一侧壁连接至第三侧壁的第一过渡区域和将第二侧壁连接至第四侧壁的第二过渡区域的每个具有分别远离第一侧壁和第二侧壁延伸的锥形轮廓；以及含Si层，设置在SiGe鳍的顶部上，其中，含Si层的位于第一过渡区域上的部分远离第一侧壁延伸第一横向距离，并且含Si层的位于第二过渡区域上的部分远离第二侧壁延伸与第一横向距离不同的第二横向距离。本申请的实施例还涉及半导体结构及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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