[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

半导体衬底；

硅锗(SiGe)鳍，从所述半导体衬底突出，其中，所述硅锗鳍包括具有第一侧壁和第二侧壁的顶部，所述顶部设置在具有第三侧壁和第四侧壁的底部上方，并且其中，将所述第一侧壁连接至所述第三侧壁的第一过渡区域和将所述第二侧壁连接至所述第四侧壁的第二过渡区域的每个具有分别远离所述第一侧壁和所述第二侧壁延伸的锥形轮廓；

隔离部件，设置在所述半导体衬底上方并且围绕所述硅锗鳍的所述底部；

含硅层，设置在所述硅锗鳍的所述顶部上，其中，所述含硅层的设置在所述第一过渡区域上的第一部分远离所述第一侧壁延伸第一横向距离，并且所述含硅层的设置在所述第二过渡区域上的第二部分远离所述第二侧壁延伸与所述第一横向距离不同的第二横向距离，并且其中，所述含硅层的外部垂直表面之间的间隔由第三横向距离限定；以及

金属栅极堆叠件，设置在所述硅锗鳍的沟道区域中的所述含硅层上方。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一侧壁和所述第二侧壁之间的间隔限定所述硅锗鳍的第一宽度，并且所述第三侧壁和所述第四侧壁之间的间隔限定大于所述第一宽度的所述硅锗鳍的第二宽度。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一横向距离与所述第三横向距离的比率以及所述第二横向距离与所述第三横向距离的比率每个为约0.05至约1.2。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一过渡区域和所述第二过渡区域分别从所述第一侧壁和所述第二侧壁延伸约0.5nm至约3nm。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中，所述含硅层的所述第一部分远离所述第三侧壁延伸第四横向距离，并且所述含硅层的所述第二部分远离所述第四侧壁延伸第五横向距离，并且其中，所述第四横向距离和所述第五横向距离分别小于或等于所述第一过渡区域的宽度和所述第二过渡区域的宽度。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述第四横向距离或所述第五横向距离为约0。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述第一过渡区域和所述第二过渡区域沿所述硅锗鳍的高度垂直偏移。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：介电衬垫，设置在所述隔离部件和所述硅锗鳍的所述底部之间，其中，所述含硅层的所述第一部分、所述第二部分或两部分在所述介电衬垫上方延伸。

9.一种半导体结构，包括：

半导体衬底，包括第一区域和第二区域；

隔离结构，设置在所述第一区域和所述第二区域上方；

第一鳍，在所述第一区域中从所述半导体衬底突出，其中，所述第一鳍包括硅(Si)并且基本没有锗(Ge)，并且其中，所述第一鳍的与所述隔离结构的顶面接触的部分远离所述第一鳍的侧壁横向延伸以形成第一鳍肩；

第二鳍，在所述第二区域中从所述半导体衬底突出，其中，所述第二鳍包括硅和锗，其中，所述第二鳍的与所述隔离结构的顶面接触的部分远离所述第二鳍的侧壁横向延伸以形成第二鳍肩，并且其中，所述第二鳍肩具有大于所述第一鳍肩的宽度；

硅层，设置在所述第一鳍和所述第二鳍上方，其中，硅层的设置在所述第一鳍上方的部分具有第一厚度，并且硅层的设置在所述第二鳍上方的部分具有大于所述第一厚度的第二厚度；以及

金属栅极堆叠件，设置在所述第一鳍的沟道区域和所述第二鳍的沟道区域中的所述硅层上方。

10.一种形成半导体结构的方法，包括：

形成具有第一区域和第二区域的半导体衬底；

形成从所述第一区域突出的第一鳍和从所述第二区域突出的第二鳍，其中，所述第一鳍包括硅锗(SiGe)，并且所述第二鳍包括硅(Si)但是没有锗(Ge)；

确定要沉积在所述第一鳍上方的含硅层的厚度；

基于所述含硅层的所述厚度修整所述第一鳍，其中，修整所述第一鳍形成从修整的第一鳍的侧壁突出的鳍肩；

在所述修整的第一鳍上方沉积所述含硅层至所述确定的厚度，其中，所述含硅层的部分横向延伸超过所述鳍肩；

在所述含硅层的部分上方形成伪栅极堆叠件；

在所述第一鳍和所述第二鳍中形成与所述伪栅极堆叠件相邻的源极/漏极(S/D)部件；以及

用金属栅极堆叠件替换所述伪栅极堆叠件。