[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202110189169.6 | 申请日： | 2021-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN113299623A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 加藤贵博 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘林华;陈浩然 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法，提供能够减小从密封树脂向半导体元件的应力的半导体装置。半导体元件(1)搭载于晶片焊盘(5)，配置于半导体元件(1)的上表面的外周的电极焊盘(6)与引线(4)经由导线(3)电连接。在半导体元件(1)有对应力的灵敏度高的元件区域(1a)和对应力的灵敏度低的元件区域(1b)，低应力树脂膜(51)设置于对应力的灵敏度高的元件区域(1a)之上，半导体元件(1)、低应力树脂膜(51)、晶片焊盘(5)和引线(4)由密封树脂(2)覆盖。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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