[发明专利]半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110189169.6 申请日: 2021-02-19
公开(公告)号: CN113299623A 公开(公告)日: 2021-08-24
发明(设计)人: 加藤贵博 申请(专利权)人: 艾普凌科有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L21/48
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 刘林华;陈浩然
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【说明书】:

本发明涉及半导体装置及其制造方法,提供能够减小从密封树脂向半导体元件的应力的半导体装置。半导体元件(1)搭载于晶片焊盘(5),配置于半导体元件(1)的上表面的外周的电极焊盘(6)与引线(4)经由导线(3)电连接。在半导体元件(1)有对应力的灵敏度高的元件区域(1a)和对应力的灵敏度低的元件区域(1b),低应力树脂膜(51)设置于对应力的灵敏度高的元件区域(1a)之上,半导体元件(1)、低应力树脂膜(51)、晶片焊盘(5)和引线(4)由密封树脂(2)覆盖。

技术领域

本发明涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

伴随电子机器的小型轻质化和高性能化的需求,能够将半导体装置高密度地安装于电子机器的表面安装型封装被大量使用。在模拟IC等中,近年来要求电气特性的进一步高精度化。然而,在封装工序等安装工序中,有时应力施加于半导体元件从而产生电气特性的变动,不能得到作为目标的电气特性。通过在注型树脂与半导体元件之间设置杨氏模量比注型树脂更小的低应力树脂膜,从而能够减小施加于半导体元件的应力(例如,参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2014-27266号公报。

发明内容

发明要解决的课题

然而,在对电气特性变动的要求进一步变得严格的环境中,要求进一步减小施加于半导体元件的应力。本发明是鉴于该课题作出的,目的在于提供能够减小向半导体元件的应力的半导体装置。

用于解决课题的方案

为了解决上述课题,在本发明中使用以下的手段。

半导体装置,特征在于具备:半导体元件;晶片焊盘,其载置有前述半导体元件;引线,其与前述晶片焊盘分离而配置;低应力树脂膜,其设置于前述半导体元件的元件面;和密封树脂,其被覆前述半导体元件、前述低应力树脂膜、前述晶片焊盘和前述引线;前述低应力树脂膜具有比前述密封树脂更小的杨氏模量,在前述低应力树脂膜的与前述半导体元件相接的表面的相反面具有第一凹状曲面。

另外,使用半导体装置的制造方法,该半导体装置具备:半导体元件;晶片焊盘,其载置有前述半导体元件;引线,其与前述晶片焊盘分离而配置;低应力树脂膜,其设置于前述半导体元件的元件面;和密封树脂,其被覆前述半导体元件、前述低应力树脂膜、前述晶片焊盘和前述引线;其特征在于,由以下工序组成:制备前述晶片焊盘和与前述晶片焊盘分离而配置的引线,且在前述晶片焊盘上搭载前述半导体元件的工序;在前述半导体元件的元件面上形成第一背面是平面、为与第一背面相反的表面的第一主面是第一凹状曲面的低应力树脂膜的工序;和形成被覆前述半导体元件、前述低应力树脂膜、前述晶片焊盘和前述引线的密封树脂的工序。

发明效果

通过使用上述手段,能够实现能够减小从密封树脂向半导体元件的应力的半导体装置。

附图说明

图1是本发明的第一实施方式所涉及的半导体装置的结构图。

图2是本发明的第二实施方式所涉及的半导体装置的结构图。

图3是本发明的第三实施方式所涉及的半导体装置的结构图。

图4是本发明的第四实施方式所涉及的半导体装置的结构图。

图5是本发明的第五实施方式所涉及的半导体装置的结构图。

图6是示出本发明的第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的结构图。

图7是示出本发明的第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的结构图。

图8是示出本发明的第一实施方式所涉及的半导体装置的制造方法的结构图。

图9是示出本发明的第一实施方式所涉及的半导体装置和比较示例的结构图。

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