[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202110189169.6 | 申请日： | 2021-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN113299623A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 加藤贵博 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L21/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘林华;陈浩然 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
半导体元件；
晶片焊盘，载置有所述半导体元件；
引线，与所述晶片焊盘分离而配置；
低应力树脂膜，设置于所述半导体元件的元件面；和
密封树脂，被覆所述半导体元件、所述低应力树脂膜、所述晶片焊盘和所述引线；
所述低应力树脂膜具有比所述密封树脂更小的杨氏模量，在所述低应力树脂膜的与所述半导体元件相接的表面的相反面具有第一凹状曲面。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在俯视中，所述低应力树脂膜的周缘部成为多边形，其所有的内角均为钝角。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在俯视中，所述低应力树脂膜的周缘部为圆或者椭圆。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体元件的元件面与所述密封树脂的上表面是平行的。
5.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体元件的元件面与所述密封树脂的上表面是平行的。
6.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体元件的元件面与所述密封树脂的上表面是平行的。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在所述密封树脂的上表面具有第二凹状曲面。
8.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，在所述密封树脂的上表面具有第二凹状曲面。
9.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，在所述密封树脂的上表面具有第二凹状曲面。
10.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具备：
半导体元件；
晶片焊盘，载置有所述半导体元件；
引线，与所述晶片焊盘分离而配置；
低应力树脂膜，设置于所述半导体元件的元件面；和
密封树脂，被覆所述半导体元件、所述低应力树脂膜、所述晶片焊盘和所述引线；
其特征在于，由以下工序组成：
制备所述晶片焊盘和与所述晶片焊盘分离而配置的引线，且在所述晶片焊盘上搭载所述半导体元件的工序；
在所述半导体元件的元件面上 形成第一背面是平面、为与所述第一背面相反的表面的第一主面是第一凹状曲面的低应力树脂膜的工序；和
形成被覆所述半导体元件、所述低应力树脂膜、所述晶片焊盘和所述引线的密封树脂的工序。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，在所述半导体元件的元件面形成所述低应力树脂膜的工序中，使用粘附膜状低应力树脂膜的方法。
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