[发明专利]一种用于半导体制造的供气系统及供气方法在审
| 申请号： | 202110188869.3 | 申请日： | 2021-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN114963003A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 崔珍善;周娜;王佳;李琳;李俊杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | F17D1/04 | 分类号： | F17D1/04;F17D3/01;F17D5/00 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 程虹 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于半导体制造的供气系统及供气方法，属于半导体技术领域，用以解决现有技术中供气系统无法对其是否处于被污染状态进行检测的问题。本发明的供气系统包括主气源、压缩气体配件和气体纯度分析仪，主气源通过压缩气体配件与晶圆处理设备的进气口连接，气体纯度分析仪设于压缩气体配件与晶圆处理设备的连接管路上。本发明的供气方法包括如下步骤：更换主气源和压缩气体配件后开启主气源或者在主气源供气过程中，开启气体纯度分析仪，检测主气源供气的气体纯度。本发明的供气系统和供气方法可用于晶圆制造。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 制造 供气 系统 方法 | ||
【主权项】：
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