[发明专利]一种用于半导体制造的供气系统及供气方法

权利要求书

1.一种用于半导体制造的供气系统，其特征在于，包括主气源、压缩气体配件和气体纯度分析仪，所述主气源通过压缩气体配件与晶圆处理设备的进气口连接，所述气体纯度分析仪设于压缩气体配件与晶圆处理设备的连接管路上。

2.根据权利要求1所述的用于半导体制造的供气系统，其特征在于，所述气体纯度分析仪包括设于连接管路侧壁的激光发光部和激光受光部以及与激光发光部和激光受光部连接的分析控制器，所述激光发光部和激光受光部的位置相对应。

3.根据权利要求2所述的用于半导体制造的供气系统，其特征在于，所述连接管路上设有与分析控制器连接的自动切断阀。

4.根据权利要求1至3所述的用于半导体制造的供气系统，其特征在于，还包括与分析控制器连接的报警器。

5.根据权利要求1至3任一项所述的用于半导体制造的供气系统，其特征在于，还包括设于连接管路上的氮气支路以及与氮气管路连接的氮主气源。

6.根据权利要求5所述的用于半导体制造的供气系统，其特征在于，还包括设于连接管路上的放气支路。

7.一种用于半导体制造的供气方法，其特征在于，包括如下步骤：

更换主气源和压缩气体配件后开启主气源或者在主气源供气过程中，开启气体纯度分析仪，检测主气源供气的气体纯度。

8.根据权利要求7所述的用于半导体制造的供气方法，其特征在于，所述气体纯度分析仪包括激光发光部、激光受光部和分析控制器，所述检测主气源供气的气体纯度包括如下步骤：

激光受光部接收激光发光部发射的激光，并将激光信号传送至分析控制器，分析控制器根据激光信号分析得到气体的纯度。

9.根据权利要求8所述的用于半导体制造的供气方法，其特征在于，在检测主气源供气的气体纯度之后还包括如下步骤：

判断气体的纯度是否未处于阈值范围内；

气体的纯度未处于阈值范围内，则关闭主气源；

向主气源与晶圆处理设备之间的连接管路中充入氮气，对连接管路进行清洗后排出连接管路。

10.根据权利要求9所述的用于半导体制造的供气方法，其特征在于，所述判断气体的纯度是否未处于阈值范围内；气体的纯度未处于阈值范围内之后还包括如下步骤：

分析控制器将报警信号发送至报警器，报警器接受分析控制器发送的报警信号，并发出报警。